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公开(公告)号：CN101750916B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910253786.7
申请日：2009-12-17
CPC分类号： G03F7/425 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN101256366B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN101750916A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253786.7
申请日：2009-12-17
CPC分类号： G03F7/425 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN101256366A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN116770304A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310262294.4
申请日：2023-03-17
摘要： 本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4‑氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4‑氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。
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公开(公告)号：CN109097774B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201810631619.0
申请日：2018-06-19
摘要： 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。
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公开(公告)号：CN108054176B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810026111.8
申请日：2013-06-26
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10％并且低于按重量计约35％。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40％至按重量计约60％之间的磷酸、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸、按重量计约3％至按重量计约15％之间的乙酸、按重量计约0.01％至按重量计约0.1％之间的铜离子化合物、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸盐、按重量计约1％至按重量计约10％之间的乙酸盐，和余量的水。
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公开(公告)号：CN113539814A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110219066.X
申请日：2021-02-26
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , C09K13/04 , C09K13/06
摘要： 公开了一种在其中在内表面上涂覆有包含钇的材料的室中制造显示装置的方法和刻蚀溶液，该方法包括以下步骤：在基底上通过干刻蚀形成第一层图案；在第一层图案上沉积第二层材料；在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模完成第二层图案；以及在干刻蚀以形成第一层图案之后且在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案之前，通过使用包括盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的刻蚀溶液来执行附加的酸刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN102939407B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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公开(公告)号：CN108153035B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201711055728.4
申请日：2017-11-01
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13357
摘要： 本发明提供了一种基板、包括基板的显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括第一基板、面向第一基板的第二基板以及布置在第一基板和第二基板之间液晶层。第一基板和第二基板中的一个包括基底基板和光阻挡图案，光阻挡图案被布置在基底基板的两个表面中面向另一表面的一个表面上，光阻挡图案暴露基底基板的部分。光阻挡图案包括布置在基底基板上的半透反射层、布置在半透反射层上的相位匹配层以及布置在相位匹配层上的反射金属层。相位匹配层和反射金属层包括具有基本相同的蚀刻率的材料。
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