公开(公告)号：CN107644871A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710601042.4

申请日：2017-07-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李光烈 ,  金宝星 ,  南泰德 ,  李旺周

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/552 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种固态驱动器封装。该固态驱动器封装可以包括集成电路基板和提供在集成电路基板上的多个第三芯片，集成电路基板包括：下再分布层；提供在下再分布层上的第一芯片和第二芯片；以及提供在下再分布层上的连接基板，连接基板被提供在第一芯片和第二芯片的外周上。所述多个第三芯片经由连接基板和下再分布层电连接到第一芯片和第二芯片。

公开(公告)号：CN105321883B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC分类号： H01L21/8238

摘要： 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN107644871B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710601042.4

申请日：2017-07-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李光烈 ,  金宝星 ,  南泰德 ,  李旺周

IPC分类号： H10B80/00 ,  H01L23/49 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

摘要： 提供了一种固态驱动器封装。该固态驱动器封装可以包括集成电路基板和提供在集成电路基板上的多个第三芯片，集成电路基板包括：下再分布层；提供在下再分布层上的第一芯片和第二芯片；以及提供在下再分布层上的连接基板，连接基板被提供在第一芯片和第二芯片的外周上。所述多个第三芯片经由连接基板和下再分布层电连接到第一芯片和第二芯片。

公开(公告)号：CN105321883A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC分类号： H01L21/8238

摘要： 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN1167337A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：CN97104711.1

申请日：1997-02-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜正镐 ,  李光烈 ,  孟东祚 ,  黄宗燮

IPC分类号： H01L21/3063

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67075

摘要： 一种溢流式化学腐蚀槽，包括在其侧壁形成多个孔的内腐蚀槽。各孔与内腐蚀槽上端相距预定距离。在此化学腐蚀槽中，当内腐蚀槽中的化学物质流过内腐蚀槽的上端时，同时通过各孔排放至外腐蚀槽。因此，除非相对的两侧壁中的一侧倾斜低于另一侧超过预定值。否则在内腐蚀槽的两侧壁化学物质能以几乎相同的量连续流动，从而使因晶片位置不同而引起的腐蚀速率差异得以减小，使腐蚀工艺可靠性得以改善。