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公开(公告)号：CN102034767A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010501863.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川岛庆一
IPC: H01L23/12 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及安装电路基板，提供具备能够改善功率增益特性的结构的高频半导体装置用的安装电路基板。半导体装置(30)是作为在其内部包含场效应晶体管(FET)的半导体封装件而构成的装置，是在高频频带使用的高频半导体装置。安装电路基板(10)是安装半导体装置(30)的高频半导体用的安装电路基板。安装电路基板(10)具备：栅极用布线(12)、漏极用布线(14)以及源极用布线(16)。这些布线分别与半导体装置(30)的栅极电极、源极电极、漏极电极连接。通过以栅极用布线(12)和漏极用布线(14)的距离接近的方式进行拉伸，从而使栅极用布线(12)和漏极用布线(14)间的电容增加。
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公开(公告)号：CN102339802B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110317683.X
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101364584A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810129848.9
申请日：2008-08-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/01031 , H01L2924/10329
Abstract: 本发明涉及一种不改变外部形状就可以降低噪声指数的半导体装置。源极框架(1)具有下垫板(2)。直线形的栅极框架(4)具有与下垫板(2)分离的焊盘(6)。在下垫板(2)上安装半导体芯片(3)。通过多个导线(8)电连接半导体芯片(3)的源极端子(9)和下垫板，并且电连接半导体芯片(3)的栅极端子(11)和焊盘(6)。由树脂(12)密封下垫板(2)、焊盘(6)、半导体芯片(3)和多个导线(8)。下垫板(2)在焊盘(6)附近相对于栅极框架(4)的延伸方向倾斜的方向上被切割。
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公开(公告)号：CN102034767B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010501863.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川岛庆一
IPC: H01L23/12 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及安装电路基板，提供具备能够改善功率增益特性的结构的高频半导体装置用的安装电路基板。半导体装置(30)是作为在其内部包含场效应晶体管(FET)的半导体封装件而构成的装置，是在高频频带使用的高频半导体装置。安装电路基板(10)是安装半导体装置(30)的高频半导体用的安装电路基板。安装电路基板(10)具备：栅极用布线(12)、漏极用布线(14)以及源极用布线(16)。这些布线分别与半导体装置(30)的栅极电极、源极电极、漏极电极连接。通过以栅极用布线(12)和漏极用布线(14)的距离接近的方式进行拉伸，从而使栅极用布线(12)和漏极用布线(14)间的电容增加。
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公开(公告)号：CN101783326B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910151101.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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公开(公告)号：CN102339802A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110317683.X
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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公开(公告)号：CN101783326A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910151101.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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