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公开(公告)号:CN105845636B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201610182673.2
申请日:2010-08-24
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/683 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC分类号: H01L23/3121 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/73204 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
摘要: 一种器件包括中介层,中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV,以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面,并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。
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公开(公告)号:CN108305934A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201710728739.8
申请日:2017-08-23
申请人: 松下知识产权经营株式会社
发明人: 吉间政志
IPC分类号: H01L33/64 , F21S41/00 , F21V19/00 , F21W107/10 , F21W102/13
CPC分类号: H01L33/647 , F21S41/141 , F21S41/19 , F21S41/192 , F21S45/43 , F21S45/47 , F21V23/06 , F21V29/70 , F21V29/76 , F21V29/763 , F21Y2115/10 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1316 , H01L2224/14519 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H05K1/0204 , H05K2201/09827 , H05K2201/09845 , H05K2201/09854 , H05K2201/10106 , H05K2201/10416 , F21V19/00
摘要: 本发明提供发光模块、移动体用照明装置以及移动体。发光模块(1)具备:绝缘基板(30),具有作为一侧的主面的安装面(30m)及作为另一侧的主面的背面(30r),在绝缘基板上设置有从安装面贯通到背面的贯通孔(38);发光元件(10),安装在安装面上;以及热传导部件(20),配置在贯通孔,且与贯通孔的内壁(33)接触,热传导部件具备位移抑制部(24),在安装面侧的端面(21)与发光元件热连接、且对热传导部件从背面侧向安装面侧的位移进行抑制,关于热传导部件的与绝缘基板的主面平行的截面的面积,在背面侧的端部的截面面积比安装面侧的端部的截面面积大。
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公开(公告)号:CN107924878A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680047840.0
申请日:2016-07-05
申请人: 英帆萨斯公司
发明人: 塞普里昂·艾米卡·乌卓
IPC分类号: H01L23/00 , H01L23/12 , H01L21/324 , H01L23/485
CPC分类号: H01L24/17 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03009 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/11442 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13355 , H01L2224/13409 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16104 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81801 , H01L2224/8184 , H01L2224/83815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2924/013
摘要: 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件;藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子;并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面;以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度,所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。
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公开(公告)号:CN107785347A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710733545.7
申请日:2017-08-24
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L23/498
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53204 , H01L23/53209 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05567 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/13005 , H01L2224/13007 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13616 , H01L2224/1362 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13673 , H01L2224/13676 , H01L2224/13678 , H01L2224/13679 , H01L2224/1368 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/1369 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/0665 , H01L23/49816
摘要: 提供了一种半导体芯片和电子装置。该半导体芯片包括:基底;一个或更多个导电焊盘,设置在基底上;一个或更多个凸起,电连接到一个或更多个导电焊盘,其中,一个或更多个凸起包括:金属芯;聚合物层,设置在金属芯的表面的上方;导电涂层,设置在聚合物层的表面的上方并且电连接到一个或更多个导电焊盘。
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公开(公告)号:CN107706117A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710675601.6
申请日:2017-08-09
申请人: 商升特公司
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/02118 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2021/60007 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03912 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2224/95001 , H01L2224/95136 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L23/3107
摘要: 本发明公开了单步封装。一种半导体装置,包括半导体晶片。在半导体晶片之上形成多个柱状凸块。在柱状凸块之上沉积焊料。当半导体晶片在载体上时,在形成柱状凸块之后,将半导体晶片单片化成多个半导体管芯。当半导体管芯保持在载体上时,在半导体管芯和柱状凸块周围沉积密封剂。密封剂覆盖在柱状凸块之间的半导体管芯的有源表面。
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公开(公告)号:CN103579114B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201310173218.2
申请日:2013-05-10
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人: 张贵松 , 郑钧文 , 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 朱家骅
IPC分类号: H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/06
CPC分类号: H01L24/09 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/64 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/08145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24145 , H01L2224/80896 , H01L2224/81 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/4661 , H01L2224/05552 , H01L2224/8203 , H01L2224/80001
摘要: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底;位于第一衬底上方的第一接合焊盘;包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底;位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘,第二接合焊盘与第二电子器件电连接;位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层,第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合;和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。
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公开(公告)号:CN107623017A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710568790.7
申请日:2017-07-13
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/32 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/13 , G02F1/133305 , G02F1/133514 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/4853 , H01L23/4985 , H01L24/11 , H01L27/1214 , H01L2224/10125 , H01L2224/11011 , H01L2224/11334 , H01L2224/13019 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169
摘要: 公开了显示设备及制造显示设备的方法,显示设备包括:柔性衬底,具有用于显示图像的显示区域和在显示区域外部的外围区域;第一焊盘电极,位于柔性衬底的外围区域中;以及驱动器,连接至第一焊盘电极。驱动器包括:电路板,包括驱动电路;第二焊盘电极,位于电路板的一侧上并且面向第一焊盘电极;凸起结构,位于第二焊盘电极的一侧上并且具有椭圆形横截面;以及凸块电极,位于凸起结构的一侧上并且连接至第一焊盘电极。凸块电极包括覆盖凸起结构的柱以及从柱的一侧延伸并且向第一焊盘电极突出的凸起部分。
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公开(公告)号:CN104170060B
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201180076128.0
申请日:2011-12-28
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号: B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 一种集成电路器件,包括单一半导体基板;形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层;形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层;形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV),其电气耦合至该器件层及该再分配层;形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI),其电气耦合至该再分配层;和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件,其电气耦合至该再分配层。
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公开(公告)号:CN106571356A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201610102721.2
申请日:2016-02-25
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: H01L23/52 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/105 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/13187 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2224/32145 , H01L2224/81 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L24/10 , H01L24/17 , H01L2224/10 , H01L2224/17 , H01L2224/1712
摘要: 本发明公开了一种封装上封装构件,包含有一下芯片封装,包含有:一中介层,其具有一第一面以及相对所述第一面的一第二面;至少一芯片,通过多数个导电栓塞设置在所述第一面的一芯片安装区域内;一模塑料,设于所述第一面,邻近所述至少一芯片;多数个周边凸块结构,位于一周边区域内,且贯穿所述模塑料,其中各所述周边凸块结构包含一埋入在所述模塑料内的导电柱体以及一直接堆叠在所述导电柱体的部分穿模通孔;多数个锡球,设置在所述第二面上;及一上芯片封装,设置在所述下芯片封装之上,连接所述多数个周边凸块结构。
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公开(公告)号:CN102637608B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201210029757.4
申请日:2012-02-10
申请人: 新科金朋有限公司
IPC分类号: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/0613 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13021 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/16111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/24137 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/82005 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2224/11 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/13015 , H01L2224/81
摘要: 本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂,并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路,并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。
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