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公开(公告)号：CN108454576B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810152102.3
申请日：2018-02-14
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明提供一种光学装置，其包括：光学单元，其设置成使得在光学单元与挡风玻璃之间具有封闭空间，并配置成通过挡风玻璃获取车厢外部信息；加热单元，其配置成对封闭空间进行加热；开闭单元，其设置在位于封闭空间与车厢内部空间之间的空气流动路径中并对封闭空间与车厢内部空间之间的空气的连通进行控制；和控制器，其基于车辆的外部空气温度或通过从封闭空间的湿度减去车厢内部空间的湿度而获得的湿度差来控制开闭单元的打开和关闭状态。控制器在外部空气温度高于或等于预定温度时或者在湿度差大于或等于预定湿度差时将开闭单元设定为处于打开状态，在外部空气温度低于预定温度时或者在湿度差小于预定湿度差时将开闭单元设定为处于关闭状态。
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公开(公告)号：CN104380442B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380031331.5
申请日：2013-06-06
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要： 在SiC半导体装置的制造方法中，通过外延生长在沟槽(6)内形成p型层(31)之后，通过氢蚀刻，将p型层(31)仅保留在沟槽(6)的底部及两末端部，从而形成p型SiC层(7)。即，去除p型层(31)中形成在沟槽(6)的侧面的部分。由此，能够不通过倾斜离子注入来形成p型SiC层(7)。因此，不需要另行进行倾斜离子注入，因此能够抑制移动离子注入装置等制造工序变得麻烦的情况，能够抑制制造成本。此外，还没有离子注入引起的缺陷损坏，因此能够抑制漏极泄漏，能够切实地防止在沟槽(6)的侧面残留p型SiC层(7)。因此，能够制造能够同时实现高耐压和高开关速度的SiC半导体装置。
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公开(公告)号：CN108298207B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711462500.7
申请日：2017-12-28
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 一种用于片式加热器和线束的包装结构，该包装结构包括：片式加热器，该片式加热器包括加热器部分，该加热器部分连接有电流施加端子；线束，该线束包括线材、布置在线材的第一侧的第一连接器和布置在线材的第二侧的第二连接器；以及片状材料，其中：片状材料折叠成两部分以形成第一表面和第二表面，使得形成第一固持部分，第一固持部分将加热器部分固持在第一表面与第二表面之间；并且第一表面包括：第二固持部分，该第二固持部分固持第一连接器的连接至电流施加端子的部分；第三固持部分，该第三固持部分以使得线材钩到第三固持部分的方式固持线材；以及第四固持部分，该第四固持部分固持第二连接器。
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公开(公告)号：CN108454576A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810152102.3
申请日：2018-02-14
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明提供一种光学装置，其包括：光学单元，其设置成使得在光学单元与挡风玻璃之间具有封闭空间，并配置成通过挡风玻璃获取车厢外部信息；加热单元，其配置成对封闭空间进行加热；开闭单元，其设置在位于封闭空间与车厢内部空间之间的空气流动路径中并对封闭空间与车厢内部空间之间的空气的连通进行控制；和控制器，其基于车辆的外部空气温度或通过从封闭空间的湿度减去车厢内部空间的湿度而获得的湿度差来控制开闭单元的打开和关闭状态。控制器在外部空气温度高于或等于预定温度时或者在湿度差大于或等于预定湿度差时将开闭单元设定为处于打开状态，在外部空气温度低于预定温度时或者在湿度差小于预定湿度差时将开闭单元设定为处于关闭状态。
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公开(公告)号：CN108437895B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810082974.7
申请日：2018-01-29
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明提供一种车辆用光学系统。该车辆用光学系统具备：光学装置，设为能够取得车室外的信息；透明部件，与光学装置之间隔有预定的闭空间地设置于光学装置的前面；防雾片，设置于闭空间的透明部件的内表面中的光学装置的视场角范围内即第一区域；及结露部，设置于闭空间的透明部件的内表面中的光学装置的视场角范围外即第二区域，上述结露部比第一区域容易结露。
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公开(公告)号：CN104247026B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380020079.8
申请日：2013-04-17
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/044 , H01L21/0465 , H01L21/26513 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要： 在碳化硅半导体装置中，在沟槽(6)的底部的角部设有p型的SiC层(7)。由此，在MOSFET截止时即使在漏极－栅极间施加电场，p型的SiC层向n-型漂移层(2)侧较大地延伸，由漏极电压的影响引起的高电压难以进入栅极绝缘膜(8)。因此，能够缓和栅极绝缘膜(8)内的电场集中，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。该情况下，有时p型的SiC层(7)为浮置状态，但p型的SiC层(7)仅形成在沟槽(6)的底部的角部，与形成在沟槽(6)的整个底部区域的构造相比，形成范围较窄。因此，开关特性的劣化也较小。(7)与n-型漂移层(2)之间的PN结部的耗尽层也
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公开(公告)号：CN104380442A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380031331.5
申请日：2013-06-06
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要： 在SiC半导体装置的制造方法中，通过外延生长在沟槽(6)内形成p型层(31)之后，通过氢蚀刻，将p型层(31)仅保留在沟槽(6)的底部及两末端部，从而形成p型SiC层(7)。即，去除p型层(31)中形成在沟槽(6)的侧面的部分。由此，能够不通过倾斜离子注入来形成p型SiC层(7)。因此，不需要另行进行倾斜离子注入，因此能够抑制移动离子注入装置等制造工序变得麻烦的情况，能够抑制制造成本。此外，还没有离子注入引起的缺陷损坏，因此能够抑制漏极泄漏，能够切实地防止在沟槽(6)的侧面残留p型SiC层(7)。因此，能够制造能够同时实现高耐压和高开关速度的SiC半导体装置。
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公开(公告)号：CN108437895A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810082974.7
申请日：2018-01-29
申请人： 丰田自动车株式会社
CPC分类号： B60J1/002 , B60R11/04 , B60R2011/0026 , B60S1/023 , G03B17/02 , G03B17/08 , G03B17/56 , G03B29/00 , H04N7/183
摘要： 本发明提供一种车辆用光学系统。该车辆用光学系统具备：光学装置，设为能够取得车室外的信息；透明部件，与光学装置之间隔有预定的闭空间地设置于光学装置的前面；防雾片，设置于闭空间的透明部件的内表面中的光学装置的视场角范围内即第一区域；及结露部，设置于闭空间的透明部件的内表面中的光学装置的视场角范围外即第二区域，上述结露部比第一区域容易结露。
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公开(公告)号：CN108298207A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711462500.7
申请日：2017-12-28
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 一种用于片式加热器和线束的包装结构，该包装结构包括：片式加热器，该片式加热器包括加热器部分，该加热器部分连接有电流施加端子；线束，该线束包括线材、布置在线材的第一侧的第一连接器和布置在线材的第二侧的第二连接器；以及片状材料，其中：片状材料折叠成两部分以形成第一表面和第二表面，使得形成第一固持部分，第一固持部分将加热器部分固持在第一表面与第二表面之间；并且第一表面包括：第二固持部分，该第二固持部分固持第一连接器的连接至电流施加端子的部分；第三固持部分，该第三固持部分以使得线材钩到第三固持部分的方式固持线材；以及第四固持部分，该第四固持部分固持第二连接器。
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公开(公告)号：CN104247026A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020079.8
申请日：2013-04-17
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/044 , H01L21/0465 , H01L21/26513 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要： 在碳化硅半导体装置中，在沟槽(6)的底部的角部设有p型的SiC层(7)。由此，在MOSFET截止时即使在漏极－栅极间施加电场，p型的SiC层(7)与n-型漂移层(2)之间的PN结部的耗尽层也向n-型漂移层(2)侧较大地延伸，由漏极电压的影响引起的高电压难以进入栅极绝缘膜(8)。因此，能够缓和栅极绝缘膜(8)内的电场集中，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。该情况下，有时p型的SiC层(7)为浮置状态，但p型的SiC层(7)仅形成在沟槽(6)的底部的角部，与形成在沟槽(6)的整个底部区域的构造相比，形成范围较窄。因此，开关特性的劣化也较小。
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