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公开(公告)号：CN104380471B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380031045.9
申请日：2013-06-06
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/761 , H01L21/8213 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/157 , H01L29/158 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: SiC半导体装置具备以埋入沟槽(5a)内的方式具有低浓度区域(5b)和高浓度区域(5c)的p型区域(5)，该沟槽(5a)形成在单元区域中，由低浓度区域(5b)构成p型柱，并且由高浓度区域(5c)构成p+型深层。由此，能够由基于低浓度区域(5b)的p型柱和基于n型漂移层(2)的n型柱构成SJ构造，所以实现了导通电阻的降低。此外，通过基于高浓度区域(5c)的p+型深层在截止时阻断漏极电位，所以能够缓和对栅极绝缘膜(8)施加的电场，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。因此，SiC半导体装置能够实现降低导通电阻和防止栅极绝缘膜(8)破坏这双方。
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公开(公告)号：CN106165103A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018706.3
申请日：2015-02-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/761 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。
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公开(公告)号：CN103890954A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051533.1
申请日：2012-10-17
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/047 , H01L21/28008 , H01L21/823487 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。
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公开(公告)号：CN102299180B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110175094.2
申请日：2011-06-22
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/407 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/8613
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底(4)和电场末端部(13)。半导体衬底(4)包括衬底(1)、设置在所述衬底(1)的表面上的漂移层(2)以及设置在所述漂移层(2)的表面上的基极层(3)。所述半导体衬底(4)被划分为其中设置有半导体元件的单元区和包围所述单元区的外围区。基极部分(3)具有位于贯穿所述单元区和所述外围区的同一平面上的底面，并且提供位于所述外围区中的电场缓和层(3a)。所述电场末端部(13)包围所述电场缓和层(3a)的一部分和所述单元区，并且从所述电场缓和层(3a)的表面穿透所述电场缓和层(3a)到达所述漂移层(2)。
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公开(公告)号：CN102760768A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210128717.5
申请日：2012-04-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397
Abstract: 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105164812A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201380071355.3
申请日：2013-01-24
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7834 , H01L21/225 , H01L21/2652 , H01L21/28238 , H01L21/30604 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66621 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7841
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一导电型的接触区域、第二导电型的主体区域、第一导电型的漂移区域、沟槽、绝缘膜、栅电极以及第二导电型的浮置区域。沟槽从半导体基板的表面贯通接触区域以及主体区域而形成，其底部位于漂移区域内。绝缘膜覆盖沟槽的内面。栅电极以被绝缘膜覆盖的状态收纳于沟槽内。浮置区域设置于漂移区域内的比沟槽的底部深的位置，并且与沟槽的底部相邻。浮置区域具有与沟槽的底部相邻的第一层以及设置于比第一层深的位置的第二层。第一层的宽度宽于第二层的宽度。
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公开(公告)号：CN104247026A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020079.8
申请日：2013-04-17
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/044 , H01L21/0465 , H01L21/26513 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 在碳化硅半导体装置中，在沟槽(6)的底部的角部设有p型的SiC层(7)。由此，在MOSFET截止时即使在漏极－栅极间施加电场，p型的SiC层(7)与n-型漂移层(2)之间的PN结部的耗尽层也向n-型漂移层(2)侧较大地延伸，由漏极电压的影响引起的高电压难以进入栅极绝缘膜(8)。因此，能够缓和栅极绝缘膜(8)内的电场集中，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。该情况下，有时p型的SiC层(7)为浮置状态，但p型的SiC层(7)仅形成在沟槽(6)的底部的角部，与形成在沟槽(6)的整个底部区域的构造相比，形成范围较窄。因此，开关特性的劣化也较小。
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公开(公告)号：CN102844867A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201280001099.6
申请日：2012-02-06
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 一种SiC器件包括反型MOSFET，其具有：按照顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；基底区域（3）的上部中的源极和接触区域（4、5）；穿透源极和基底区域（4、3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极和基底区域（4、3）耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上部中、比沟槽（6）更深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）在深度方向上具有杂质浓度分布，并且在施加栅电压时，在沟槽侧上的深层（10）的一部分中提供反型层。
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公开(公告)号：CN102299180A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110175094.2
申请日：2011-06-22
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/407 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/8613
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底(4)和电场末端部(13)。半导体衬底(4)包括衬底(1)、设置在所述衬底(1)的表面上的漂移层(2)以及设置在所述漂移层(2)的表面上的基极层(3)。所述半导体衬底(4)被划分为其中设置有半导体元件的单元区和包围所述单元区的外围区。基极部分(3)具有位于贯穿所述单元区和所述外围区的同一平面上的底面，并且提供位于所述外围区中的电场缓和层(3a)。所述电场末端部(13)包围所述电场缓和层(3a)的一部分和所述单元区，并且从所述电场缓和层(3a)的表面穿透所述电场缓和层(3a)到达所述漂移层(2)。
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公开(公告)号：CN102162134A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110042966.8
申请日：2011-02-18
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L29/66068
Abstract: 在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。
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