公开(公告)号：CN103875067A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

公开(公告)号：CN103875067B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。