公开(公告)号：CN103875067B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

公开(公告)号：CN103875067A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

公开(公告)号：CN103890924B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  杰克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

摘要： 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。

公开(公告)号：CN103890924A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  杰克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

摘要： 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。