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1.

发明授权
在金属成型体和结合到厚布线或条片用的功率半导体间形成连接的方法有权

公开(公告)号：CN103875067B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/485 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 , H01L21/6835 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2221/68322 , H01L2221/68363 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2224/03003 , H01L2224/03013 , H01L2224/0311 , H01L2224/0312 , H01L2224/03438 , H01L2224/03505 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/29339 , H01L2224/29399 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48491 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1304 , H01L2924/35 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/03 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

2.

发明公开
用于全模制封装的3D互连部件有权

公开(公告)号：CN107078133A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003401.X

申请日：2016-04-29

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： C.M.斯坎伦

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/52 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2224/83911 , H01L2224/83913 , H01L2224/83986 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L22/00 , H01L21/56 , H01L2224/8391

摘要： 本发明公开了一种制备半导体部件封装的方法，该方法可包括：提供包括导电迹线的基板；利用焊料将表面安装装置(SMD)焊接至该基板；利用第一模制化合物在该SMD上方并围绕该SMD包封该基板上的该SMD以形成部件组件；以及将该部件组件安装至临时载体，其中该部件组件的第一侧面朝向该临时载体取向。该方法还可包括：将包括导电互连件的半导体模片邻近该部件组件安装至该临时载体；利用第二模制化合物包封该部件组件和该半导体模片以形成重构板材；以及使该导电互连件和导电迹线相对于该第二模制化合物暴露在该部件组件的第一侧面和第二侧面处。

3.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN106887421A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611089632.5

申请日：2016-12-01

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 门口卓矢 , 武直矢

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/4951 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83909 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L24/31 , H01L2224/32501 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029

摘要： 本发明涉及一种半导体装置，其具备半导体元件与导电性部件。半导体元件具有第一电极与第二电极，并允许电流从第一电极向第二电极流通且禁止电流从第二电极向第一电极流通。导电性部件经由焊锡接合层而与半导体元件的第二电极接合。与焊锡接合层接触的第二电极的表面由以镍为主要成分的金属材料构成，与焊锡接合层接触的导电性部件的表面由以铜为主要成分的金属材料构成。而且，焊锡接合层具有第一化合物层和第二化合物层，所述第一化合物层位于焊锡接合层与第二电极的界面处且由镍‑锡系的金属间化合物构成，所述第二化合物层位于焊锡接合层与所述导电性部件的界面处且由铜‑锡系的金属间化合物构成。

4.

发明授权
电子器件及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN103515447B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310238283.9

申请日：2013-06-17

申请人： 耐智亚有限公司

发明人： 埃德温·泰杰森 , 斯文·沃尔兹克 , 洛尔夫·安科·约科伯·格罗恩休斯 , 吕迪格·韦伯 , 智·文·提

IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/528 , H01L21/329 , H01L21/768

CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/50 , H01L23/60 , H01L23/62 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/36 , H01L29/402 , H01L29/8611 , H01L2224/04026 , H01L2224/05599 , H01L2224/26145 , H01L2224/27013 , H01L2224/29116 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/73263 , H01L2224/83051 , H01L2224/8384 , H01L2224/84801 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种电子器件(200)，用于防止高功率应用中的瞬变电压。所述电子器件(200)包括：i)半导体衬底(220)，包括具有至少两个端子(T1，T2)的有源元件(Dd)；ii)导电焊盘(225)，设置在所述衬底(220)上，并且电耦接至所述端子(T1，T2)之一；iii)导电互连材料(226)，设置在导电焊盘(225)上；iv)第一导电部件(230)，经由导电互连材料(226)电耦接至导电焊盘(225)。所述电子器件还包括：沿导电焊盘(225)的外围设置的壁(229)，用于在导电焊盘(225)上形成互连材料(226)的横向约束。本发明还涉及一种制造这种电子器件的方法。所提出的发明提供了针对两种问题的解决方案：a)当使用铅焊料时(由于焊料限制)有限的互连覆盖；以及b)当使用无铅材料时(由于政府限制)的限制。

5.

发明授权
封装结构及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103165558B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210535771.1

申请日：2012-12-12

申请人： 乾坤科技股份有限公司

发明人： 陈大容 , 廖玟雄 , 胡竣富

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/3121 , H01L23/498 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0556 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16245 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/2902 , H01L2224/29034 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/30181 , H01L2224/32225 , H01L2224/32505 , H01L2224/32507 , H01L2224/81815 , H01L2224/8192 , H01L2224/83411 , H01L2224/83416 , H01L2224/83418 , H01L2224/83439 , H01L2224/83815 , H01L2224/8392 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , Y10T29/49155 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明揭示了一种封装结构及其制造方法，其具有一覆盖于焊接材料的覆盖金属材料。一基板包含在其上的一第一焊接垫和一第二焊接垫。一在基板上的导电组件包含在其上的第一电极和第二电极。一焊接材料分别电性连接该第一焊接垫和该第二焊接垫至该第一电极和该第二电极。一覆盖金属材料覆盖该焊接材料、该第一焊接垫、该第二焊接垫、该第一电极和该第二电极露出的复数个区域，其中该露出的复数个区域包含熔点比该覆盖金属材料低的金属材料。

6.

发明公开
用于无铅焊料连接的引线框架结构失效

公开(公告)号：CN105283954A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480024991.5

申请日：2014-04-22

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 , K·B·阿尔鲍夫

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/4821 , H01L23/495 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/83192 , H01L2224/83409 , H01L2224/83411 , H01L2224/83413 , H01L2224/83418 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/83476 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/15747 , H01L2924/17747 , H01L2924/2064 , H01L2924/3512 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00

摘要： 一种电子封装装置，供电子封装装置里使用的引线框架结构，以及用于制造电子封装装置的方法。例如由铜制成的引线框架包括例如镍的金属阻挡层以防止引线框架的金属的氧化。例如铜的相对薄的润湿促进层被提供在金属阻挡层上以在通过其芯片连接至引线框架的管芯连接工艺期间促进诸如无铅、锌基焊料的焊料均匀润湿至引线框架上。铜/锌金属间层在焊料的流动和固化期间形成。在铜/锌金属间层的形成期间消耗铜层中基本上所有的铜，以及金属间层足够薄以在电子封装装置的制造和后续使用期间抵抗内部破裂故障。

7.

发明授权
半导体封装及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102244057B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110212849.1

申请日：2011-07-28

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 凯.史提芬.艾希格 , 伯恩.卡尔.阿培得 , 李明锦

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/295 , H01L23/36 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2224/04105 , H01L2224/24246 , H01L2224/24247 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83805 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括导电载体、设置于邻近于所述导电载体的上表面的芯片、图案化导电层以及包封所述芯片的介电材料。所述介电材料定义出开口，所述图案化导电层穿过所述开口电连接到所述导电载体的所述上表面。所述导电载体具有侧表面，所述侧表面包括邻近于所述导电载体的所述上表面的第一部分和邻近于所述导电载体的下表面的第二部分，其中所述第二部分相对于所述导电载体的所述下表面而向内倾斜。