-
公开(公告)号：CN117238805A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216451.4
申请日：2023-09-20
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN116516471A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554381.7
申请日：2023-05-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。
-
公开(公告)号：CN116397322A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111626065.3
申请日：2021-12-28
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于将碳化硅原料分割为多个区域，所述导流部的上端高于所述坩埚的碳化硅原料上表面，多个区域的碳化硅原料升华为气相后，在所述导流部的导向作用下向上运动并接触所述籽晶。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，通过在坩埚内设置导流部，将升华的气相碳化硅原料均匀导向至坩埚顶部的籽晶，使得气相碳化硅原料在籽晶生长平面上均匀沉积，从而获得质量均匀的碳化硅单晶。
-
公开(公告)号：CN116288672A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310150969.6
申请日：2023-02-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN115648463A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211345928.4
申请日：2022-10-31
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种辊轮组件的加工方法以及晶棒切割装置，所述辊轮组件包括出线辊轮和入线辊轮，所述辊轮组件的加工方法，包括：提供两个圆柱状滚轮本体，分别用于制备所述出线辊轮和所述入线辊轮；在所述滚轮本体的侧面形成绕线槽，以形成所述出线辊轮和所述入线辊轮；其中，对应同一段切割线，所述出线辊轮的绕线槽深度小于所述入线辊轮的绕线槽深度。在形成所述绕线槽时，使对应同一段切割线的所述出线辊轮的绕线槽深度小于所述入线辊轮的绕线槽深度，从而使得入线端切割线和出线端切割线对所述晶棒的切入深度相同，因此能够减小所述出线端切割线和所述入线端切割线的切入深度不同而引起的晶片的翘曲差异。
-
公开(公告)号：CN115365921A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210820513.1
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
-
公开(公告)号：CN113186601B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
-
公开(公告)号：CN112725893B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011536526.3
申请日：2020-12-23
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。
-
公开(公告)号：CN114597117A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210138486.X
申请日：2022-02-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区周围设置有所述钉扎区，以使得所述制件区中心区域的位错密度小于边缘区域。本发明提供的碳化硅单晶衬底，在制件区周围设置钉扎区，以将制件区上的位错集中在制件区边缘，从而使制件区中心区域的位错密度降低，并使用制件区中心区域来制作半导体器件的有效区域，即半导体器件上施加电压的区域，可以显著降低有效区域的位错密度，降低有效区域的失效概率，提高半导体器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN114059155A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111399398.7
申请日：2021-11-19
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A)将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B)将步骤A)得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行脱膜处理，晶体生长后得到碳化硅晶体。本申请通过在碳化硅籽晶表面制备硅膜，可以有效解决籽晶表面没有做任何二次处理带来的加工过程存留少量划伤缺陷，粘接操作过程在籽晶表面引入新的损伤，生长过程中温度设置不合理导致籽晶碳化等问题导致碳化硅籽晶初期接长的缺陷较多，大大提升碳化硅晶体生长成功率及生长质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
116 条记录 (耗时 0.096 秒)
