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公开(公告)号：CN116875932B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311148466.1
申请日：2023-09-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。
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公开(公告)号：CN116825824B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311096893.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN116875932A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311148466.1
申请日：2023-09-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。
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公开(公告)号：CN117647668A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311390319.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统，涉及晶圆测试领域，探针卡包括：信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块；信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号；探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆，并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号；激励装置用于输出交变电压；压电晶片用于基于激励装置输出交变电压，发生周期性形变，从而产生机械振动，以带动探针模块在焊垫上表面来回振动，使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡，能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时，保证探针和焊垫形成良好欧姆接触，以减少探针积屑或烧针，提高晶圆测试精确度和探针寿命。
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公开(公告)号：CN116825824A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311096893.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115373907A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211316659.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F11/14 , G06F11/30 , G06F16/178
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开一种工控机与数据备份系统。所述工控机包括：查询模块，用于查询所述工控机的存储空间使用率；以及同步模块，用于：在所述工控机的存储空间使用率大于第一阈值且小于或者等于第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至主服务器或网络附属存储器中的一者；或者在所述工控机的存储空间使用率大于所述第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至所述主服务器或所述网络附属存储器中的一者与备用服务器。本发明可通过在工控机上配置查询模块和同步模块来自动查询工控机的存储空间使用率，并在存储空间使用率大于不同阈值时针对生产数据执行不同的强制同步操作，以实现生产数据的自动化上传的目的。
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公开(公告)号：CN114583049A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210479541.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。
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公开(公告)号：CN113805044B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111354981.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号：CN113851466A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN113805044A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111354981.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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