公开(公告)号：CN116875932B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311148466.1

申请日：2023-09-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张同 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  董子斌 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： C23C4/134 ,  C23C4/04

摘要： 本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。

公开(公告)号：CN118297012A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410727943.8

申请日：2024-06-06

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  郁文 ,  陆珊珊 ,  曹永万 ,  吴波 ,  梁英宗 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G06F30/33 ,  G06F119/04

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种老化效应的仿真方法、仿真系统与芯片。所述方法包括：根据Finfet在一时间段内的漏源电压与电流、热电容及热电阻，确定自热引起Finfet的温升；根据温升与未考虑自热的Finfet在该时间段内的工作温度，确定考虑自热的Finfet在该时间段内的实际温度；及根据漏源电压、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始阈值电压，确定考虑自热的Finfet的阈值电压，和/或根据漏源电流、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始饱和电流，确定考虑自热的Finfet的饱和电流。本发明精确且有效地仿真考虑自热的Finfet的老化量，可提前预判Finfet性能。

公开(公告)号：CN116825824B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311096893.X

申请日：2023-08-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张同 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  王凯 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。

公开(公告)号：CN116875932A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311148466.1

申请日：2023-09-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张同 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  董子斌 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： C23C4/134 ,  C23C4/04

摘要： 本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。

公开(公告)号：CN117647668A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311390319.5

申请日：2023-10-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张同 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  王凯 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G01R1/073 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统，涉及晶圆测试领域，探针卡包括：信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块；信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号；探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆，并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号；激励装置用于输出交变电压；压电晶片用于基于激励装置输出交变电压，发生周期性形变，从而产生机械振动，以带动探针模块在焊垫上表面来回振动，使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡，能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时，保证探针和焊垫形成良好欧姆接触，以减少探针积屑或烧针，提高晶圆测试精确度和探针寿命。

公开(公告)号：CN116825824A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202311096893.X

申请日：2023-08-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张同 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  王凯 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。

公开(公告)号：CN118191276B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410382852.5

申请日：2024-04-01

申请人： 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  中国电力科学研究院有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国网新疆电力有限公司电力科学研究院 ,  河南中分仪器股份有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司石嘴山供电公司

发明人： 周秀 ,  田天 ,  张建国 ,  白金 ,  王博 ,  史磊 ,  朱林 ,  陈青松 ,  杨定乾 ,  赵跃 ,  王健一 ,  罗艳 ,  高婷玉 ,  李秀广 ,  杨慧 ,  蒋芮 ,  倪辉 ,  何丹东 ,  祁炯 ,  王璇 ,  马云龙 ,  张明 ,  吴波 ,  张伟 ,  孔红伟 ,  尹思源

IPC分类号： G01N33/28 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/04

摘要： 本发明提供了一种变压器油的油品监测方法、介质及系统，属于变压器油技术领域，包括：连续获取变压器历史的运行数据，以及运行数据对应采集时刻的毛细管装置内的油柱高度数组以及定期实验方法检测的变压器油品质数据；建立基于物理变化的变压器油物理老化模型以及基于化学变化的变压器油化学老化模型；得到物理老化预测模型和化学老化预测模型；计算每个采集时刻的变压器油的物理老化指数和化学老化指数；训练一个神经网络，得到变压器油品老化预测模型；输入到变压器油品老化预测模型，得到待测变压器的物理老化指数和化学老化指数；采用初始油品以及待测变压器的物理老化指数和化学老化指数，计算待测变压器的油的当前油品，并输出给运维人员。

公开(公告)号：CN118191276A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410382852.5

申请日：2024-04-01

申请人： 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  中国电力科学研究院有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 ,  国网新疆电力有限公司电力科学研究院 ,  河南中分仪器股份有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司石嘴山供电公司

发明人： 周秀 ,  田天 ,  张建国 ,  白金 ,  王博 ,  史磊 ,  朱林 ,  陈青松 ,  杨定乾 ,  赵跃 ,  王健一 ,  罗艳 ,  高婷玉 ,  李秀广 ,  杨慧 ,  蒋芮 ,  倪辉 ,  何丹东 ,  祁炯 ,  王璇 ,  马云龙 ,  张明 ,  吴波 ,  张伟 ,  孔红伟 ,  尹思源

IPC分类号： G01N33/28 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/04

摘要： 本发明提供了一种变压器油的油品监测方法、介质及系统，属于变压器油技术领域，包括：连续获取变压器历史的运行数据，以及运行数据对应采集时刻的毛细管装置内的油柱高度数组以及定期实验方法检测的变压器油品质数据；建立基于物理变化的变压器油物理老化模型以及基于化学变化的变压器油化学老化模型；得到物理老化预测模型和化学老化预测模型；计算每个采集时刻的变压器油的物理老化指数和化学老化指数；训练一个神经网络，得到变压器油品老化预测模型；输入到变压器油品老化预测模型，得到待测变压器的物理老化指数和化学老化指数；采用初始油品以及待测变压器的物理老化指数和化学老化指数，计算待测变压器的油的当前油品，并输出给运维人员。

公开(公告)号：CN118016652B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410413710.0

申请日：2024-04-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 吴祖谋 ,  吴波 ,  刘芳 ,  陈燕宁 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  章明瑞 ,  董子斌 ,  王凯 ,  连亚军 ,  贾晨 ,  范维 ,  杨璐羽 ,  段方维

IPC分类号： H01L23/64 ,  H10N97/00

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容的制造方法及MIM电容。所述方法包括：在第一温度环境下在硅基底上沉积下极板，在第二温度环境下进行真空退火处理；在下极板的表面形成电介质层；在电介质层的表面沉积上极板，在第三温度的氮气氛围中进行退火处理；在上极板的表面沉积第一抗反射层，并进行刻蚀，定义出上极板的图形；在刻蚀后的第一抗反射层、上极板及电介质层的表面沉积一层高介电常数的耐压材料形成耐压层，以填充刻蚀过程中因负载效应导致电介质层产生的凹陷；在耐压层的表面沉积第二抗反射层，并进行刻蚀，定义出下极板的图形。本发明提高了MIM电容的TDDB寿命。

公开(公告)号：CN114864666A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。