公开(公告)号：CN109273433B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710771489.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN114743887A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210393961.8

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN107622994A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710438836.3

申请日：2017-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  普翰屏 ,  黄启铭 ,  潘信瑜 ,  吴凯强 ,  许森贵 ,  万厚德

IPC: H01L23/58

Abstract: 一种半导体装置结构包括一第一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于第一装置上方。半导体装置结构包括一导电遮蔽层位于第一装置与导电部件之间。导电遮蔽层具有多个开口，且开口的最大宽度小于第一装置所产生的能量的波长。

公开(公告)号：CN107437536B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201610895679.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  万厚德 ,  谢佑生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。

公开(公告)号：CN114725073A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210312302.7

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN109273433A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710771489.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN108122872A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710777057.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  谢佑生 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  B81C99/005 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/091

Abstract: 本揭示提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包含：感测元件，其经配置以从感测目标接收信号；模塑物，其环绕所述感测元件；贯穿通路，其位于所述模塑物中；前侧重布层，其放置于所述感测元件的前侧处且电连接到所述前侧；及后侧重布层，其放置于所述感测元件的后侧处，所述前侧重布层及所述后侧重布层由所述贯穿通路电连接。本揭示还提供一种用于制造本文中所阐述的所述半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN107437536A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610895679.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  万厚德 ,  谢佑生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/04 ,  H01Q21/065 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381

Abstract: 揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。