公开(公告)号：CN113161288A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110161360.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗唯仁 ,  施伯铮 ,  章勋明 ,  李资良

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请涉及通过光敏化方法图案化互联和其它结构。代表性方法包括在基材上方形成光敏材料；和在光敏材料上方形成盖层；以及图案化盖层。使用图案化的盖层，将光敏材料的第一部分选择性暴露到预选择的光波长以改变光敏材料的第一部分的至少一个材料性质，同时防止光敏材料的第二部分暴露到预选择的光波长。然后进行以下步骤中的一个，但不是两个：去除光敏材料的第一部分，并在其位置形成被光敏材料的第二部分至少部分地围绕的导电元件，或去除光敏材料的第二部分，并从光敏材料的第一部分形成电连接电路的两个或更多个部分的导电元件。

公开(公告)号：CN112216598A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010904537.6

申请日：2015-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  吴松勋 ,  陈昭成 ,  章勋明 ,  周柏玮

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C11D3/39 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00

Abstract: 描述了用于IC制造的清洁诸如半导体衬底的衬底的方法，包括利用酸和碱中的一种以及臭氧的第一混合物、接下来通过酸和碱中的另一种以及臭氧的第二混合物清洁半导体衬底。清洁混合物可进一步包括去离子水。在一个实施例中，混合物被喷射到加热的衬底表面上。酸可以是HF，以及碱可以是NH4OH。本发明提供了一种用于半导体器件制造的清洁方法。

公开(公告)号：CN110556288A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910063040.3

申请日：2019-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭国凭 ,  潘昇良 ,  洪嘉阳 ,  谢志宏 ,  孙书辉 ,  章勋明

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42

Abstract: 灰化工艺与装置经由二次反应形成灰化气体的自由基。本申请披露一种半导体装置的形成方法，其包括：自第一气体产生第一等离子体；在一晶圆处理腔室中，使该第一等离子体扩散穿过第一气体分布板，以形成一第一低能量区；使该第一等离子体自该第一低能量区穿过第二气体分布板，以形成一基板处理区；以及供应第二气体至该基板处理区中，其中该第一等离子体能量化该第二气体，以形成该第二气体的自由基，其中该第二气体的自由基自一基板剥除一层状物。第一气体与第二气体反应，以能量化该第二气体。能量化的第二气体用于自基板灰化光刻胶层。

公开(公告)号：CN110544691A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201811168951.4

申请日：2018-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  张铭庆 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体结构以及用于半导体处理的方法。描述了涉及形成例如用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极结构的示例实施例。在实施例中，一种结构包括分别在衬底上包括第一和第二FinFET的第一和第二器件区域。第一FinFET的相邻栅极结构之间的距离小于第二FinFET的相邻栅极结构之间的距离。第一FinFET中的至少一个的栅极结构在第一鳍片的顶部表面的水平面和下方分别具有第一和第二宽度。第一宽度大于第二宽度。第二FinFET中的至少一个的第二栅极结构在第二鳍片的顶部表面的水平面和下方分别具有第三和第四宽度。第一宽度和第二宽度之间的差异大于第三宽度和第四宽度之间的差异。

公开(公告)号：CN106971975A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611085479.9

申请日：2016-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘晓萍 ,  林睿哲 ,  李亚莲 ,  许宏彰 ,  林圣轩 ,  高研硕 ,  苏鸿文 ,  蔡明兴 ,  章勋明

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本公开的实施例提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括：形成第一栅极堆叠于基底上方。第一栅极堆叠包括栅极电极、设置于栅极电极上方的第一硬掩模(HM)及沿着第一栅极堆叠的侧壁的侧壁间隔物。该方法亦包括：形成第一介电层于第一栅极堆叠上方；形成第二硬掩模于第一硬掩模及侧壁间隔物的顶表面上方；形成第二介电层于第二硬掩模及第一介电层上方；及移除第二介电层及第一介电层以形成沟槽并暴露基底的一部分，而第二硬掩模设置于第一栅极堆叠上方。

公开(公告)号：CN106206284A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510306755.9

申请日：2015-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林益安 ,  严必明 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2256 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种改进型蚀刻工艺。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掺杂氧化物层；在掺杂氧化物层上形成图案化层，图案化层保持掺杂氧化物层的暴露区；对衬底执行溅射工艺；以及在溅射工艺之后，对半导体衬底执行湿蚀刻工艺，以从暴露区去除掺杂氧化物层。

公开(公告)号：CN103021829B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210236318.0

申请日：2012-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  吕学青 ,  周汉源 ,  黄国彬 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开了一种单晶圆蚀刻装置和在单晶圆装置中实施的各种方法。在实例中，在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层包括：将磷酸加热至第一温度；将硫酸加热至第二温度；将经过加热的磷酸和经过加热的硫酸混合；将磷酸/硫酸混合物加热至第三温度；以及利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻氮化硅层。本发明还提供了一种在单晶圆装置中蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN104916677A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410315836.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡洛斯·H.·迪亚兹 ,  林群雄 ,  张惠政 ,  章勋明 ,  王建勋 ,  黄懋霖

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了具有核-壳结构的半导体器件。一种器件结构包括形成在支撑件上的核结构、以及形成核结构上并且围绕核结构的至少一部分的壳材料。壳材料和核结构配置为在壳材料中形成量子阱沟道。

公开(公告)号：CN104701310A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410734195.2

申请日：2014-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李达元 ,  刘冠廷 ,  钟鸿钦 ,  李显铭 ,  张文 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN100515671C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410059424.1

申请日：2004-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪伟伦 ,  庄佳哲 ,  钟基伟 ,  邱文智 ,  陈盈和 ,  章勋明

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明揭示一种氧化物研磨制程，是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后，一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用，以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force)，能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法，具有相同的产出，并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。