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公开(公告)号：CN103526168A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210365147.1
申请日：2012-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/351 , H01J37/3405 , H01J37/3408
Abstract: 本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进一步包括与所述周转齿轮系统连接的磁性组件，所述磁性组件包括与所述至少一个外围齿轮连接的支撑件，所述支撑件的旋转轴与连接所述支撑件的至少一个外围齿轮的旋转轴同轴。本发明还公开了具有周转齿轮系统的磁性组件及其使用方法。
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公开(公告)号：CN102901561A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210107471.3
申请日：2012-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于在诸如紫外线固化工艺腔的工艺腔中感测辐射强度的装置和方法。示例性装置包括：工艺腔，在该工艺腔中具有辐射源，其中，辐射源被配置为在工艺腔内发出辐射；辐射传感器，附接至工艺腔；以及光纤，与辐射源和辐射传感器连接，其中，光纤被配置为将发出的辐射的一部分传输至辐射传感器，并且辐射传感器被配置为感测发出的辐射经由光纤的强度。
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公开(公告)号：CN101996857A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010237018.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , H01L21/67253 , H01L22/24 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的系统及方法。该系统包括半导体生产机台。半导体生产机台可整合的输入/输出信号，以及测量生产机台的第一工艺参数的界面。该系统也包括无线传感器。无线传感器可拆卸地耦接生产机台。无线传感器测量生产机台的第二(额外)工艺参数。第二工艺参数不同于第一工艺参数。本发明能够满足能满足机台设备各层面的需求。
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公开(公告)号：CN101996479A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010170245.0
申请日：2010-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/418 , G01N29/14 , G01N29/226 , G01N29/2481 , G01N29/449 , G01N29/46 , G01N2291/2697 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的设备及方法。此设备包括便携式装置。便携式装置包括第一及第二传感器，分别测量第一及第二工艺参数，第一工艺参数不同于第二工艺参数。便携式装置也包括无线收发器，耦接第一及第二传感器，无线收发器接收第一及第二工艺参数并且传送包含第一及第二工艺参数的无线信号。本发明提供的一种用于制造半导体装置的设备可以提供测量一些额外需要的工艺参数并且是可拆卸的，因而可以满足各层面的要求。
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公开(公告)号：CN1841733A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610056990.6
申请日：2006-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8222 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法，可抵抗介电层的边缘崩溃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832206A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510103331.9
申请日：2005-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明是关于一种金字塔形的电容结构及其制作方法。该电容结构具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明亦揭露一种制作电容结构的方法。
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公开(公告)号：CN101728241B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910204641.8
申请日：2009-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/564 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。
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公开(公告)号：CN101930892A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910160213.X
申请日：2009-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种静电吸附承盘及等离子体装置。该静电吸附承盘包含：下部元件、上部元件、凹口、以及可替换的侧壁防护物。此可替换的侧壁防护物填满位于下部元件及上部元件之间的凹口，以使此可替换的侧壁防护物可保护在此凹口中的环氧树脂或可取代此凹口中的环氧树脂。此防护物可完全填满凹口。此防护物也可覆盖凹口中的环氧树脂以使防护物突出至凹口外。在另一实施例中，在双极静电吸附承盘中的此可替换的侧壁防护物实质上覆盖含有导电极嵌于其中的区域。本发明提高了静电吸附承盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101728241A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910204641.8
申请日：2009-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/564 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约35％；以及将该工艺套件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。使用本发明实施例的优点包括：由于工艺薄膜中的应力降低，因此工艺薄膜从工艺套件剥落的情况大幅减少，并且制层薄膜与工艺套件可由于相似的材料而得到更好的粘着性。
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公开(公告)号：CN100390991C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610056990.6
申请日：2006-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8222 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法，可抵抗介电层的边缘崩溃。
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