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公开(公告)号:CN108022980A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201711070414.1
申请日:2017-11-03
申请人: 安世有限公司
IPC分类号: H01L29/872 , H01L23/49
CPC分类号: H01L24/14 , H01L23/3114 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/10145 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/14051 , H01L2224/141 , H01L2224/1601 , H01L2224/16238 , H01L2224/1701 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/384 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L29/872 , H01L23/49
摘要: 本发明具有不可拆卸凸块的无引线封装件。该无引线封装的半导体器件包括顶表面、与所述顶表面相对的底表面、以及在所述顶表面和所述底表面之间的多个侧壁。至少一个连接焊盘设置在所述底表面上。所述连接焊盘包括连接部和从所述连接部延伸并远离所述底表面的至少一个突出部,使得所述突出部和所述连接部在所述底表面上围绕出空间。
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公开(公告)号:CN107210240A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680007974.X
申请日:2016-02-01
申请人: 伊文萨思公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中,第一基板具有第一表面,其中第一互连件位于所述第一表面上,第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面,所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁,并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号:CN106847784A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710061288.7
申请日:2012-06-29
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/683 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05554 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
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公开(公告)号:CN102856220B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210229643.4
申请日:2012-06-29
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05554 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
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公开(公告)号:CN105051891A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201480017220.3
申请日:2014-03-25
申请人: 美光科技公司
发明人: 杰斯皮德·S·甘德席 , 卢克·G·英格兰德 , 欧文·R·费伊
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/08225 , H01L2224/11822 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16505 , H01L2224/1701 , H01L2224/17181 , H01L2224/175 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/3201 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/3301 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81125 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81901 , H01L2224/81948 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/07811 , H01L2924/1461 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要: 半导体装置及装置封装包含通过多个导电结构而电耦合到衬底的至少一个半导体裸片。所述至少一个半导体裸片可以是多个存储器裸片,且所述衬底可以是逻辑裸片。安置于所述至少一个半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料可包含导热材料。电绝缘材料安置于所述多个导电结构与所述底部填充材料之间。例如用于形成半导体装置封装的将半导体裸片附接到衬底的方法包含使用电绝缘材料来覆盖或涂布将所述半导体裸片电耦合到所述衬底的导电结构的至少外侧表面,及在所述半导体裸片与所述衬底之间安置导热材料。
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公开(公告)号:CN103066052A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210402807.9
申请日:2012-10-22
申请人: 爱思开海力士有限公司
发明人: 金圣敏
IPC分类号: H01L23/498 , H01L25/00
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/1161 , H01L2224/11825 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13017 , H01L2224/13021 , H01L2224/13025 , H01L2224/13186 , H01L2224/1319 , H01L2224/13566 , H01L2224/13583 , H01L2224/136 , H01L2224/13647 , H01L2224/14181 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16147 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/114 , H01L2224/1182
摘要: 本发明公开了半导体封装体和堆叠半导体封装体。半导体封装体包括:半导体芯片,具有多个接合垫;电介质构件,形成在半导体芯片之上使得各个接合垫的一部分被暴露,并且具有梯形截面形状;以及凸块,形成为覆盖各个接合垫的暴露部分和电介质构件的一部分,并且具有台阶状截面形状。
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公开(公告)号:CN102480835A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201110038528.4
申请日:2011-02-14
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H05K3/306 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13017 , H01L2224/1601 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/1607 , H01L2224/16235 , H01L2224/16501 , H01L2224/811 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81899 , H01L2224/81906 , H01L2224/8192 , H01L2224/81951 , H01L2224/81986 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H05K3/3447 , H05K2201/10166 , H05K2201/10401 , Y10T29/49155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 在此公开了一种焊接连接销、一种半导体封装基板以及使用它们安装半导体芯片的方法。半导体芯片通过使用插入印刷电路板的通孔中的焊接连接销而安装在印刷电路板上,从而防止半导体封装基板变形和由于外来冲击产生的疲劳失效。
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公开(公告)号:CN102254869A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201010254697.7
申请日:2010-08-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/00
CPC分类号: H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11464 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13575 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/1601 , H01L2224/16111 , H01L2224/16112 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/81138 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/81805 , H01L2924/206
摘要: 本发明一实施例提供一种集成电路装置,包括:一第一工件,包括:一防焊层,位于该第一工件之上,其中该防焊层包括一防焊层开口;以及一接垫,位于该第一工件之上,且位于该防焊层开口之中;一第二工件,包括一不可回焊的金属凸块,位于该第二工件之上;以及一焊料凸块,将该不可回焊的金属凸块接合至该接垫,该焊料凸块的至少一部分位于该防焊层开口之中,且邻接该不可回焊的金属凸块及该接垫,其中该焊料凸块具有一高度,等于该不可回焊的金属凸块与该接垫之间的一距离,且其中该防焊层具有一厚度,大于该焊料凸块的该高度的50%。本发明可造成更均匀的焊料轮廓及较少的焊料破裂。
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公开(公告)号:CN1325137A
公开(公告)日:2001-12-05
申请号:CN01121686.7
申请日:2001-03-14
申请人: 株式会社东芝
CPC分类号: H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16237 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/00 , H01L2224/05624 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 半导体器件及其制造方法,它通过使用在芯片的电极表面上形成的突点与布线表面接触的方法可获得与作为插件的绝缘薄膜基板更高的连接性能,同时,将形成于芯片的连接电极上的突点贯穿形成于绝缘薄膜基板上的两面或三层以上的布线,可同时达到与布线层的相互连接。采用形成于芯片1的电极表面上的尖锐状或经过切口加工的突点15,一边破坏形成于布线表面上的氧化被膜及污物一边与作为插件的绝缘薄膜基板5的布线层6接触。通过暴露出材料的新生面可获得性能更高的连接性能。
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公开(公告)号:CN107924878A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680047840.0
申请日:2016-07-05
申请人: 英帆萨斯公司
发明人: 塞普里昂·艾米卡·乌卓
IPC分类号: H01L23/00 , H01L23/12 , H01L21/324 , H01L23/485
CPC分类号: H01L24/17 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03009 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/11442 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13355 , H01L2224/13409 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16104 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81801 , H01L2224/8184 , H01L2224/83815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2924/013
摘要: 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件;藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子;并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面;以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度,所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。
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