公开(公告)号：CN109860158A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811333824.5

申请日：2018-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡致嘉 ,  陈明发 ,  詹森博 ,  叶松峯 ,  袁景滨

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48

Abstract: 提供一种半导体装置。半导体装置包括彼此接合的第一管芯及第二管芯。第一管芯包括位于衬底之上的第一钝化层以及位于第一钝化层中的第一接合垫。第二管芯包括第二钝化层及位于第二钝化层中的第二接合垫，所述第二钝化层可接合到第一钝化层，所述第二接合垫可接合到第一接合垫。第二接合垫包括内接合垫及外接合垫。外接合垫的直径可大于内接合垫的直径以及第一接合垫的直径。

公开(公告)号：CN110660783B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201811509903.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发 ,  陈宪伟 ,  刘惠雯 ,  袁景滨

IPC: H01L25/075 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 在实施例中，一种方法包括：堆叠多个第一管芯以形成器件堆叠件；暴露器件堆叠件的最顶部管芯的测试焊盘；使用最顶部管芯的测试焊盘测试器件堆叠件；以及在测试器件堆叠件之后，在最顶部管芯中形成接合焊盘，其中，接合焊盘与测试焊盘不同。本发明的实施例还涉及半导体器件封装件和方法。

公开(公告)号：CN107452722A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201611197122.X

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  余振华 ,  袁景滨 ,  叶松峯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488

Abstract: 半导体器件包括：第一管芯、接合至第一管芯从而形成接合界面的第二管芯、以及第一管芯的焊盘并且焊盘从第一管芯的聚合物层暴露。半导体器件还具有位于焊盘上并且在平行于第一管芯和第二管芯的堆叠方向的方向上从焊盘延伸的导电材料。在半导体器件中，导电材料延伸至顶面，顶面垂直地高于第二管芯的背侧，其中，背侧是与接合界面相对的表面。

公开(公告)号：CN114823464A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210115968.3

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄伟杰 ,  罗祐青 ,  袁景滨 ,  林玟志 ,  郭震宇 ,  雷弋昜 ,  谢静华

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例是有关于一种叠层吸盘、叠层工艺及半导体封装体的制造方法。一种用于膜材料的叠层的叠层吸盘包括支撑层和顶层。顶层设置在支撑层上。顶层包括聚合物材料，聚合物材料的肖氏硬度A低于支撑层的材料的肖氏硬度A。顶层和支撑层具有贯穿其中的至少一个真空沟道，至少一个真空沟道从顶层的顶表面垂直延伸到支撑层的底表面。

公开(公告)号：CN106558577A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610676726.6

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁景滨 ,  余振华 ,  陈明发 ,  叶松峯

IPC: H01L25/16 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01L25/074 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L31/12 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/18162 ,  G02B6/122

Abstract: 提供了三维集成电路(3DIC)结构，3DIC结构包括第一IC芯片和第二IC芯片以及连接器。第一IC芯片包括第一金属化结构、第一光学有源组件和第一光子互连层。第二IC芯片包括第二金属化结构、第二光学有源组件和第二光子互连层。第一IC芯片和第二IC芯片通过第一光子互连层和第二光子互连层接合。第一光学有源组件位于第一光子互连层和第一金属化结构之间。第一光学有源组件和第一金属化结构彼此接合。第二光学有源组件位于第二光子互连层和第二金属化结构之间。第二光学有源组件和第二金属化结构彼此接合。

公开(公告)号：CN110660783A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811509903.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发 ,  陈宪伟 ,  刘惠雯 ,  袁景滨

IPC: H01L25/075 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 在实施例中，一种方法包括：堆叠多个第一管芯以形成器件堆叠件；暴露器件堆叠件的最顶部管芯的测试焊盘；使用最顶部管芯的测试焊盘测试器件堆叠件；以及在测试器件堆叠件之后，在最顶部管芯中形成接合焊盘，其中，接合焊盘与测试焊盘不同。本发明的实施例还涉及半导体器件封装件和方法。

公开(公告)号：CN107393841A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710031229.5

申请日：2017-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁景滨 ,  余振华 ,  陈明发

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一集成电路管芯、连接至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯和连接在第一集成电路管芯的第一导电部件和第二集成电路管芯的第二导电部件之间的贯通孔。导电屏蔽物设置为围绕贯通孔的部分。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN221262337U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202322197823.5

申请日：2023-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗祐青 ,  袁景滨 ,  黄伟杰 ,  郭震宇 ,  雷弋昜 ,  谢静华

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677

Abstract: 本实用新型实施例提供一种工件卡盘以及具有此工件卡盘的工件搬运设备。工件卡盘包括支撑平台、真空系统及渗气缓冲层。所述支撑平台具有用于在其上固持工件的支撑表面。所述真空系统设置于所述支撑平台的下方并与所述支撑平台气体连通。所述渗气缓冲层设置于所述支撑平台的上方并覆盖所述支撑表面，其中所述渗气缓冲层的硬度标度小于所述支撑平台的硬度标度。