公开(公告)号：CN109103254A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710702735.2

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  廖家阳 ,  陈臆仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 公开半导体装置，半导体装置包含通道区沿一方向延伸，且具有U形剖面，栅极介电层环绕通道区，以及栅极电极环绕栅极介电层和通道区的个别的中央部分。

公开(公告)号：CN104051327B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201310334939.7

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  邓桔程 ,  郭庭豪 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。

公开(公告)号：CN107154431B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201611216681.0

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  曾鸿辉 ,  陈臆仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在于绝缘结构与第一栅极和第二栅极的至少一个之间。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN104051327A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310334939.7

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  邓桔程 ,  郭庭豪 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。

公开(公告)号：CN107154431A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611216681.0

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  曾鸿辉 ,  陈臆仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在于绝缘结构与第一栅极和第二栅极的至少一个之间。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107039428A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611018347.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  曾鸿辉 ,  陈臆仁

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 揭露鳍式场效晶体管器件及其形成方法。鳍式场效晶体管器件包括衬底、多个栅极以及绝缘墙。衬底具有在第一方向上延伸的多个鳍。多个栅极在与第一方向不同的第二方向上延伸，且分别横跨多个鳍。相邻栅极中的两者以端对端的方式配置。在第一方向上延伸的绝缘墙位于相邻栅极的面对端部之间，且与相邻栅极中的每一者的栅介电材料实体接触。

公开(公告)号：CN106711216A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610705755.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  陈臆仁 ,  曾鸿辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/13067

Abstract: 本发明公开了一种FinFET器件及其形成方法。FinFET器件包括衬底、多个栅极和单一间隔壁。衬底提供有在第一方向上延伸的多个鳍。横跨鳍分别地提供了在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个栅极。两个邻近的栅极端对端的布置。在第一方向上延伸的单一间隔壁位于邻近栅极的面向端之间且与邻近栅极的每个的栅极介电材料物理接触。本发明实施例涉及FinFET器件及其形成方法。