公开(公告)号：CN103777470B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310046337.1

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  吴小真 ,  许家豪 ,  陈家桢 ,  陈映予 ,  李慈莉 ,  简上杰 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70933

Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。

公开(公告)号：CN104051327B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201310334939.7

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  邓桔程 ,  郭庭豪 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。

公开(公告)号：CN113707603A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110987417.1

申请日：2021-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  李东颖 ,  吴政宪 ,  鲍新宇 ,  李亨元 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/24

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底及内连结构。内连结构设置在半导体衬底之上。内连结构包括第一导电线、第二导电线及双向阈值开关。第一导电线在第一方向上彼此平行地延伸。第二导电线堆叠在第一导电线之上且在与第一方向垂直的第二方向上彼此平行地延伸。双向阈值开关设置在第一导电线与第二导电线之间。双向阈值开关包含三元GeCTe材料。三元GeCTe材料实质上由碳、锗及碲组成。在三元GeCTe材料中，碳含量介于10原子百分比到30原子百分比范围内且锗含量介于10原子百分比到65原子百分比范围内。

公开(公告)号：CN104051327A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310334939.7

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  邓桔程 ,  郭庭豪 ,  陈映予

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。

公开(公告)号：CN103777470A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310046337.1

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  吴小真 ,  许家豪 ,  陈家桢 ,  陈映予 ,  李慈莉 ,  简上杰 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70933

Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。