公开(公告)号：CN102812548B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080065118.2

申请日：2010-10-15

申请人： 吉林克斯公司

发明人： 阿利弗·瑞曼 ,  帆特桑·穆拉立

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/68 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/30183 ,  H01L2224/32137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/145 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： 一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。

公开(公告)号：CN102812548A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065118.2

申请日：2010-10-15

申请人： 吉林克斯公司

发明人： 阿利弗·瑞曼 ,  帆特桑·穆拉立

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/68 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/30183 ,  H01L2224/32137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/145 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： 一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。