-
公开(公告)号：CN108028229A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053250.9
申请日：2016-08-03
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/02135 , H01L2224/0219 , H01L2224/03013 , H01L2224/0346 , H01L2224/03472 , H01L2224/0361 , H01L2224/03906 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05565 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/05687 , H01L2224/10145 , H01L2224/114 , H01L2224/11472 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13026 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/014 , H01L2924/07025 , H01L2924/3651 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/053
摘要： 本发明涉及用于裸片间及/或封装间互连件的凸块下金属UBM结构环的制造及相关联的系统。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。
-
公开(公告)号：CN105097562A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510231287.3
申请日：2015-05-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/03424 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03472 , H01L2224/03614 , H01L2224/05007 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05583 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L21/4825 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及用于加工半导体工件的方法和半导体工件。根据各种实施例的用于加工半导体器件的方法可以包括：在半导体工件上方沉积第一金属化层；使所述第一金属化层形成图案；以及在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积所述第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。
-
公开(公告)号：CN106373872A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610569727.0
申请日：2016-07-19
申请人： 超科技公司
发明人： R·巴蒂亚
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0331 , H01G9/0029 , H01G9/008 , H01G9/07 , H01L24/03 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2224/03472 , H01L2924/014 , H01L2924/1205 , H01L21/0228 , H01L21/033
摘要： 用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在此被公开，其中焊料被用为掩蔽材料。所述方法包含使具有有源器件区域以及阻挡层的电气器件的电气接触组件暴露，其中阻挡层由原子层沉积工艺所形成。本方法包含沉积焊料元件在电气接触组件上，然后以原子层沉积工艺形成阻挡层。阻挡层会覆盖有源器件区域并且还覆盖分别覆盖电气接触组件的焊料元件。之后焊料元件会被熔融，因而移除覆盖焊料元件的阻挡层的相应部分。类似的方法可用于在形成分层电容器时暴露接触件。
-
公开(公告)号：CN106328618A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610003025.6
申请日：2016-01-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/76885 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/02166 , H01L2224/02245 , H01L2224/02251 , H01L2224/02255 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/024 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03472 , H01L2224/03622 , H01L2224/03828 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05012 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05575 , H01L2224/11334 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/73267 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/13024
摘要： 一种器件封装件包括管芯，位于管芯上方的扇出式再分布层(RDL)以及位于扇出式RDL上方的凸块下金属(UBM)。UBM包括导电焊盘部分和环绕导电焊盘部分的沟槽。器件封装件还包括设置在UBM的导电焊盘部分上的连接件。扇出式RDL将连接件和UBM电连接至管芯。本发明涉及凸块下金属(UBM)及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN102693951A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210070010.3
申请日：2012-03-16
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H05K3/28
CPC分类号： H05K3/3436 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/02175 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03472 , H01L2224/0361 , H01L2224/03906 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05559 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11001 , H01L2224/11005 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/1191 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13565 , H01L2224/16014 , H01L2224/16145 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/3841 , H05K3/3473 , H05K2201/10674 , H05K2201/10984 , Y02P70/613 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法。所述半导体器件包括焊接凸点，所述焊接凸点包括形成在基板的电极衬垫部分上的屏障金属层，以及形成在所述屏障金属层的上表面的中心部分以具有比所述屏障金属层的外径小的外径的焊接层。
-
公开(公告)号：CN102760814B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面
-
公开(公告)号：CN106435661A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610619284.1
申请日：2016-07-29
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C25D3/38
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/022 , C25D7/00 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/03462 , H01L2224/03472 , H01L2224/05015 , H01L2224/11 , H01L2224/11472 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H05K1/111 , H05K3/064 , H05K3/4007 , H05K2201/09209 , H01L2924/00012
摘要： 电镀方法能够镀覆具有基本上均匀形态的光致抗蚀剂限定的特征。所述电镀方法包括具有α-氨基酸和双环氧化物的反应产物的铜电镀浴以电镀所述光致抗蚀剂限定的特征。此类特征包括柱、接合垫和线空间特征。
-
公开(公告)号：CN106435660A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610617735.8
申请日：2016-07-29
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC分类号： H05K3/064 , C25D3/38 , C25D5/022 , C25D7/00 , C25D7/123 , G03F7/405 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/03462 , H01L2224/03472 , H01L2224/05015 , H01L2224/05147 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/13147 , H05K1/111 , H05K3/4007 , H05K2201/09209 , H01L2924/00012
摘要： 电镀覆方法能够镀覆具有基本上均匀形态的光致抗蚀剂限定的特征。所述电镀覆方法包括具有吡啶基烷基胺和双环氧化物的反应产物的铜电镀覆浴液以电镀覆所述光致抗蚀剂限定的特征。所述特征包括柱、接合垫和线空间特征。
-
公开(公告)号：CN102479686A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110389676.0
申请日：2011-11-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B22D19/0072 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02371 , H01L2224/0346 , H01L2224/03472 , H01L2224/0502 , H01L2224/06182 , H01L2224/06188 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H05K1/02 , H05K2201/09036 , H05K2203/0108 , H05K2203/308 , Y10S977/887 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种处理基板的方法。在根据一个实施例的处理基板的方法中，可以在基板中形成沟槽，可以至少向沟槽沉积压印材料，可以使用印模装置凸印沟槽中的压印材料，且可以从沟槽去除印模装置。
-
公开(公告)号：CN105957843A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610405842.4
申请日：2011-10-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76802 , H01L21/76837 , H01L23/3171 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03472 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05016 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01327 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.016 秒)
