半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112236861A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201980032595.X

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明提供一种在具有多个晶体管元件的半导体装置中,随时间的特性变动少、可靠性高的半导体装置和使用该半导体装置的车载控制装置,其中,多个晶体管元件构成要求高相对精度的电流镜电路、差动放大电路。该半导体装置具备:第一MOS晶体管;与所述第一MOS晶体管成对的第二MOS晶体管;进行元件间的绝缘隔离的绝缘隔离壁,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的相对特性在规定的范围内,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相互在栅极宽度方向或栅极长度方向上排列,在与所述栅极宽度方向或所述栅极长度方向垂直的方向上,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管各自的栅极氧化膜与相对的所述绝缘隔离壁之间的距离相等。

    半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置

    公开(公告)号:CN107851583B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201680045783.2

    申请日:2016-07-25

    Abstract: 存在无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。在并列地配置有多个具有漏极、源极和栅极的晶体管(1)的晶体管层之上,并排设置有连接各晶体管(1)的漏极的作为输入侧布线层的金属布线层(10)以及连接各晶体管的源极的作为输出侧布线层的金属布线层(11)。还具备多个通孔(2、3),该多个通孔(2、3)将作为输入侧布线层的金属布线层(10)与各晶体管的漏极连接,并且将作为输出侧布线层的金属布线层(11)与各晶体管的源极连接。而且,使多个通孔(2、3)的电阻值沿着输入侧布线层以及输出侧布线层的排列方向改变。由此,能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

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