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公开(公告)号：CN108140611A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680033010.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/786 , H03K17/687
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L21/762 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/786 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够不使导通耐压降低地抑制导通电阻的特性变化的开关元件以及负载驱动装置。本发明的特征在于，具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。或者，在具有电流驱动用开关元件和与所述负载驱动用开关元件并联连接的、用于对所述负载驱动用开关元件的通电电流进行检测的电流检测用开关元件的负载驱动装置中，至少所述电流检测用开关元件具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。
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公开(公告)号：CN109643993A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780047545.X
申请日：2017-07-07
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H03K17/0814 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/695
Abstract: 本发明提供一种能在维持电流性能的情况下提高有源钳位状态下的晶体管的温度的均匀性的半导体装置。本发明中，功率晶体管(14)与功率晶体管(13)并联连接。有源钳位电路(8)设置在从功率晶体管(13)与功率晶体管(14)之间的连接点(P1)到功率晶体管(13)的栅极为止的路径(R1)上，在连接点(P1)的电压超过了第1阈值的情况下导通。有源钳位切断电路(12)设置在从有源钳位电路(12)到功率晶体管(14)的栅极为止的路径(R2)上，切断或抑制流至路径(R2)的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105723518B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201480061640.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Inventor： 和田真一郎
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供在栅极宽度方向上器件的端部和中央部上的通态电阻或漏极电流密度均匀的高耐压横向半导体器件。在形成于SOI衬底上的横向N型MOS晶体管(11)的端部形成有由绝缘膜填充的沟槽隔离(10b)。隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的P型体区(1)相邻地设置有二极管12的阳极区(6)，并且，隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的N型漏极漂移区(4)相邻地设置有二极管(12)的阴极区(15)，使得在对晶体管施加电压时施加到沟槽隔离(10b)的电场为0。
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公开(公告)号：CN108028226A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050965.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/82 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/76 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/0207 , H01L27/04 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/7824 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种能够抑制有源元件的温度上升的车载用半导体装置。一种车载用半导体装置，包括：半导体基板；多个有源元件，它们在半导体基板上形成；多个沟槽，它们包围并绝缘隔离多个有源元件；以及端子，其用于将被多个沟槽中的不同沟槽绝缘隔离的多个有源元件并联连接并与外部连接。
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公开(公告)号：CN112236861A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980032595.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种在具有多个晶体管元件的半导体装置中，随时间的特性变动少、可靠性高的半导体装置和使用该半导体装置的车载控制装置，其中，多个晶体管元件构成要求高相对精度的电流镜电路、差动放大电路。该半导体装置具备：第一MOS晶体管；与所述第一MOS晶体管成对的第二MOS晶体管；进行元件间的绝缘隔离的绝缘隔离壁，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的相对特性在规定的范围内，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相互在栅极宽度方向或栅极长度方向上排列，在与所述栅极宽度方向或所述栅极长度方向垂直的方向上，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管各自的栅极氧化膜与相对的所述绝缘隔离壁之间的距离相等。
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公开(公告)号：CN108352359A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201780004060.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/786 , H03K17/687
CPC classification number: H01L21/76 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/786 , H03K17/0822
Abstract: 本发明提供能够提高低侧晶体管的放热性并且抑制高侧晶体管的基板偏置效应的半导体装置。高侧NMOS晶体管(101)形成于SOI基板(30)的表面区域(S1)。沟槽(41)围绕高侧NMOS晶体管(101)。SiO2(第一绝缘体)填埋沟槽(41)。低侧NMOS晶体管(102)形成于沟槽(41)周围的SOI基板(30)的表面区域(S2)。使侧面(Sf)露出，所述侧面(Sf)连接形成低侧NMOS晶体管(102)的区域(S2)和SOI基板(30)的背面。
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公开(公告)号：CN105723518A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480061640.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Inventor： 和田真一郎
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/7826 , H01L21/76 , H01L27/1203 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/7819 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/78624 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供在栅极宽度方向上器件的端部和中央部上的通态电阻或漏极电流密度均匀的高耐压横向半导体器件。在形成于SOI衬底上的横向N型MOS晶体管(11)的端部形成有由绝缘膜填充的沟槽隔离(10b)。隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的P型体区(1)相邻地设置有二极管12的阳极区(6)，并且，隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的N型漏极漂移区(4)相邻地设置有二极管(12)的阴极区(15)，使得在对晶体管施加电压时施加到沟槽隔离(10b)的电场为0。
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