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公开(公告)号：CN114990502A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210621832.X
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种磁控溅射用钽靶坯的制备方法，包括：提供钽锭，镦粗，将铸锭沿横截面切分；锻造拔长、退火热处理；冷轧1、退火热处理，冷轧2、退火热处理。按此工艺制备的钽靶坯具有如下特点：1.晶粒尺寸≤100μm；2.靶坯厚度方向上{100}/{110}/{111}织构分布均匀，镀膜时薄膜具有良好的厚度均匀性；3.有效减少了Ta靶坯常见的1/2厚度方向上{111}取向晶粒的富集，有效提高了钽靶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114990502B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210621832.X
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种磁控溅射用钽靶坯的制备方法，包括：提供钽锭，镦粗，将铸锭沿横截面切分；锻造拔长、退火热处理；冷轧1、退火热处理，冷轧2、退火热处理。按此工艺制备的钽靶坯具有如下特点：1.晶粒尺寸≤100μm；2.靶坯厚度方向上{100}/{110}/{111}织构分布均匀，镀膜时薄膜具有良好的厚度均匀性；3.有效减少了Ta靶坯常见的1/2厚度方向上{111}取向晶粒的富集，有效提高了钽靶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116356265A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310303875.8
申请日：2023-03-27
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司 , 有研新材料股份有限公司
摘要： 一种大尺寸细晶钨硅靶材的制备方法，包括如下步骤：1、将高纯钨粉和硅粉进行混合，得到混合粉体；2.将混合粉体置于热压炉中多工艺段热压烧结，得到钨硅预制靶坯；3.采用热等静压设备将钨硅预制靶坯热等静压处理，得到大尺寸细晶钨硅靶材。该制备方法采用多工艺段热压和热等静压联合工艺，制备得到直径≥460mm、致密度≥99％、无缺陷、晶粒细小且均匀的大尺寸细晶钨硅靶坯。
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公开(公告)号：CN221046978U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322564655.9
申请日：2023-09-21
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种靶材调平装置，包括调平上模具和调平下模具，调平上模具包括底板和设置于底板下表面的凸台；调平下模具上设置有靶材放置槽，靶材放置槽中还设置有调平凹槽，调平凹槽的位置与凸台相对应且尺寸大于凸台的尺寸；靶材放置槽和调平凹槽下方的调平下模具中均设置有加热组件。调平时，压调平上模具，凸台向下压迫位于调平凹槽上的靶材，使靶材平面度压过量，从而能够抵消一部分压平后的回弹变形，进而得到平面度更好的靶材。此外，调平下模具中均设置有多个加热通道，加热通道内设置有加热装置，可以对靶材适当加热，可以减少一部分残余应力，使靶材调平更容易，同时减少调平后的变形回弹情况。
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公开(公告)号：CN107983801B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201711456243.6
申请日：2017-12-28
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于溅射技术领域的一种靶材配套聚焦环的校圆工装，该工装采取凸模与凹模配合校圆的一种模式。已经加工好的环靶材配套聚焦环放置在凹模的内部并且紧贴凹模的内模壁，凸模在小型油压机的作用下向下运动与凹模进行配合。凸模与凹模的间隙中为靶材配套聚焦环，凸模与凹模配合时以均匀的压力对靶材配套聚焦环进行校圆。经过适当的保压时间，达到校圆的目的。凹模底部设有弹性装置。校圆完成后凸、凹模分离时，弹性装置推动推件块向上运动，推动靶材配套聚焦环向上运动，达到一个取靶方便的目的，该工装操作简单、方便，可以避免靶材配套聚焦环圆度较差而引起的一系列问题。
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公开(公告)号：CN113278932B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011617741.6
申请日：2020-12-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法。本发明公开的扩散焊接型AlSc合金靶材的制备方法，采用熔炼工艺成型，将配比好的合金熔液直接浇注在焊接面有燕尾槽并加镀层的背板上，另外一面通冷却水冷却，通过背板燕尾槽的结构设计，实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型，最终AlSc合金靶材的焊合率≥99％，焊接强度≥10MPa。通过浇注一次成型扩散焊接靶材，减少繁琐的靶面成型及热等静压扩散焊接，大大降低成本，并利用背板焊接面加镀层，防止焊接面生成脆性相，得到焊接强度满足使用要求的产品。
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公开(公告)号：CN111014930B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201911336404.7
申请日：2019-12-23
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种钨靶材组件两步热等静压扩散焊接方法。所述焊接方法，以钨靶坯与Al中间层先进行热等静压扩散焊接，然后再将其与铜背板进行第二次热等静压扩散焊接，最终获得钨靶材组件，所述钨靶材组件的钨靶坯‑Al中间层焊接面的焊接强度≥125MPa，Al中间层‑铜背板焊接面的焊接强度≥65MPa，两个焊接面的焊合率均>99.5％，焊接后靶材的整体变形程度小，并且适用于大功率的溅射机台，保证溅射过程中不会脱焊、掉靶。
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公开(公告)号：CN111004985B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911164952.6
申请日：2019-11-25
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明属于金属材料加工和微电子材料制造技术领域的一种镍钒溅射靶材的制备方法。所述镍钒溅射靶材的制备方法，包括对镍钒铸锭依次进行1)热锻造、2)退火、3)冷变形和4)二次退火。所述镍钒溅射靶材中V的含量为7±0.7％，镍钒铸锭的纯度为99.9％‑99.995％。所得镍钒溅射靶材的晶粒度≤150μm，晶粒细小，分布均匀。本发明所述的镍钒溅射靶材，纯度高，在99.9％以上；组织结构致密无气孔，晶粒细小均匀，晶粒度≤150μm，无磁性，溅镀效率高，可广泛应用于电子元器件、通讯、太阳能光伏光电等行业。
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公开(公告)号：CN111015301B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201911407364.0
申请日：2019-12-31
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：1：根据待加工溅射环尺寸在主体工装上加工出定位孔；2：在主体工装上加工出开口区域、倒角区域以及加工让刀区域；3：将待加工溅射环设置在主体工装和工装内撑之间，盖上紧固盖板，并通过主体工装、工装内撑和紧固盖板上预留的安装孔，将待加工溅射环紧固在加工工装上，在主体工装圆周方向上加工出孔位；4：在开口区域的两端进行固定，通过定位销对待加工溅射环进行定位；5：对开口区域的待加工溅射环加工出开口，使用圆弧成型刀完成开口区域的圆弧加工；6：松开螺栓、垫片和螺母，去除紧固盖板，取出工装内撑，取下溅射环，进行检验并包装备存。
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公开(公告)号：CN109536770B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811471664.0
申请日：2018-12-04
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法，该方法包括如下步骤：1)以金、铍金属为原料，在真空感应熔炼炉上，先将金完全熔化之后，再添加金属铍，熔炼铸造获得金铍合金铸锭；其中，合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5～2wt.％再多配一定比例，余量为金；2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理；3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工；4)每完成1～2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理；5)重复步骤3)和4)，直到所需的板材厚度尺寸；6)采用冲压模具，加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀，合金稳定，形状规则，可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。
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