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公开(公告)号：CN100535200C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
申请人： 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要： 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
申请人： 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要： 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN101394065B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
摘要： 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN101141050B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
摘要： 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1-W1)/2L1＜(W1-W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN101599617A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910203147.X
申请日：2009-06-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
摘要： 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
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公开(公告)号：CN101533991A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127499.1
申请日：2009-03-13
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。
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公开(公告)号：CN101359806A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810131165.7
申请日：2008-07-30
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
摘要： 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
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公开(公告)号：CN101252254A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710167220.3
申请日：2007-11-01
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/222 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
摘要： 本发明公开了一种可实现不存在由于杂质扩散所导致的漏电流产生及高输出动作时可靠性降低的、包括多个谐振器的半导体激光装置。半导体激光装置包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底(10)上的第一谐振器(12)及第二谐振器(13)。该第一谐振器具有第一缓冲层(21)和包含第一活性层(23)的第一半导体层(20)，该第二谐振器具有第二缓冲层(31)和包含第二活性层(33)的第二半导体层(30)。在上述第一半导体层及上述第二半导体层的端面附近的区域分别形成了端面窗部(20a、30a)。第一缓冲层(21)的禁带宽度比第一活性层(23)的禁带宽度大，第二缓冲层(31)的禁带宽度比第二活性层(33)的禁带宽度大。
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公开(公告)号：CN100349341C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200480007918.3
申请日：2004-03-09
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/2205 , H01S5/32341
摘要： 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。
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公开(公告)号：CN1533002A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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