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公开(公告)号：CN103403807B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280010795.3
申请日：2012-03-21
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0002 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088 , G11C2213/33 , G11C2213/77
摘要： 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。
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公开(公告)号：CN102782847A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011998.X
申请日：2011-03-11
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/145
摘要： 根据一个实施例，一种电阻变化器件包括：包含金属的第一电极；第二电极；以及在所述第一和第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在从所述第一电极到所述第二电极的方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。
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公开(公告)号：CN102782847B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180011998.X
申请日：2011-03-11
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/145
摘要： 根据一个实施例，一种电阻变化器件包括：包含金属的第一电极；第二电极；以及在所述第一和第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在从所述第一电极到所述第二电极的方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。
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公开(公告)号：CN104064672A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310406691.0
申请日：2013-09-09
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L45/148 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266
摘要： 根据实施例的电阻型随机存取存储装置包括第一电极、第二电极以及被置于所述第一电极与第二电极之间的可变电阻部分。该可变电阻部分包括第一绝缘层、第二绝缘层，以及晶层，所述晶层被置于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率、并且是结晶体。
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公开(公告)号：CN103415888A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068942.8
申请日：2011-09-16
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/5614 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/148
摘要： 根据一个实施例，电阻变化存储器包括存储器单元和控制电路。所述存储器单元包括第一电极和第二电极，以及置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层。所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取。在所述写入期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲，然后在施加所述第一电压脉冲之后，施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。
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公开(公告)号：CN103403867A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010756.3
申请日：2012-03-14
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0011 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/148
摘要： 根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。
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公开(公告)号：CN105938842A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510555674.2
申请日：2015-09-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： 本申请涉及一种电阻随机存取存储器装置。电阻随机存取存储器装置包含：第一线路，其在第一方向上延伸；第一离子源层，其经提供于所述第一线路上的第一部分中；及第一可变电阻层，其经提供于所述第一离子源层上。所述电阻随机存取存储器装置还包含第二线路，其经提供于所述第一可变电阻层上、面向所述第一部分且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述电阻随机存取存储器装置还包含：第二可变电阻层，其经提供于所述第二线路上的第二部分中；第二离子源层，其经提供于所述第二可变电阻层上；及第三线路，其经提供于所述第二离子源层上、面向所述第二部分且在所述第一方向上延伸。所述第一离子源层由不同于所述第二离子源层材料的材料形成。
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公开(公告)号：CN104064565B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310388816.1
申请日：2013-08-30
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要： 本发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括：衬底；被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元；被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管；以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。
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公开(公告)号：CN103403867B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280010756.3
申请日：2012-03-14
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0011 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/148
摘要： 根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。
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公开(公告)号：CN103415888B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180068942.8
申请日：2011-09-16
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/5614 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/148
摘要： 根据一个实施例，电阻变化存储器包括存储器单元和控制电路。所述存储器单元包括第一电极和第二电极，以及置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层。所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取。在所述写入期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲，然后在施加所述第一电压脉冲之后，施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。
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