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公开(公告)号：CN101599473A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810171192.7
申请日：2008-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN103827019A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047105.1
申请日：2012-08-27
申请人： 高通MEMS科技公司
发明人： 菲利普·贾森·斯蒂法诺 , 安娜·兰格洛瓦·隆德甘 , 叶夫根尼·彼得罗维奇·古塞夫 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊
CPC分类号： B81C1/0038 , B81B2203/0392 , B81C2201/0107 , B81C2201/0188 , B81C2201/038 , C23C18/1653 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/00 , Y10T428/12493 , Y10T428/24612
摘要： 本发明提供高表面区域堆叠层金属结构、装置、设备、系统及相关方法的实施方案。可从包含第一金属及第二金属的电镀槽来制造位于衬底上的多个堆叠层。经调制的电镀电流可沉积交替的第一金属层及合金层，所述合金层包含所述第一金属及所述第二金属。可通过选择性地蚀刻第一金属层的一些部分以界定堆叠层结构来形成合金层之间的间隙。堆叠层结构可在用以形成电容器、电感器、催化反应器、热转移管、非线性弹簧、过滤器、蓄电池及重金属净化器的应用中有用。
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公开(公告)号：CN106946214A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610832295.8
申请日：2016-09-19
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 查德·S·道森 , 斯蒂芬·R·胡珀 , 李丰园 , 阿尔温德·S·萨利安
CPC分类号： B81C1/00309 , B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81B2207/012 , B81B2207/097 , B81C1/00865 , B81C2203/0109 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , B81B7/0032 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00269 , B81C2201/01
摘要： 本发明涉及一种MEMS传感器封装，MEMS传感器封装包括MEMS管芯，MEMS管芯包括具有在其上形成的传感器的基板和耦合到基板的顶盖层。顶盖层具有上覆于传感器所驻留的基板区的空腔。端口在空腔和MEMS管芯的侧壁之间延伸，并使流体能够进入到所述空腔中。制造方法涉及提供具有在其上形成的传感器的基板结构，提供具有朝内延伸的空腔的顶盖层结构，以及在空腔对之间形成通道。顶盖层结构与基板结构耦合，并且每一通道插入在一对空腔之间。切割过程产生一对传感器封装，传感器封装各自具有通过分割所述通道形成的端口，其中端口在切割期间暴露，在其相应的空腔和所述传感器封装的侧壁之间延伸。
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公开(公告)号：CN106604809A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580040676.6
申请日：2015-07-14
申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
CPC分类号： B81C1/00373 , B29C64/135 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , B81B7/0074 , B81B2201/038 , B81B2201/047 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81C3/001 , B81C99/0095 , B81C2201/0188 , B81C2203/038
摘要： 本发明涉及一种制造微机械组件(1)的方法，其中将能够通过辐射被硬化的液态原料(2)施加到基底上，所述原料通过使用第一辐射源进行局部辐射而在部分体积空间(21)中被硬化，以便生成至少一个三维结构，其中所述三维结构界定至少一个封闭的容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭所述液态原料(2)中的至少一部分。本发明还涉及一种微机械组件，所述微机械组件包括部分通过辐射被硬化的液态原料(2)，并且所述微机械组件包括至少一个容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭有所述液态原料(2)。
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公开(公告)号：CN104280161A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310277659.7
申请日：2013-07-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 洪中山
CPC分类号： B81B3/0059 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81C1/00023 , B81C1/00134 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C1/00523 , G01L9/00 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073 , H01L41/113
摘要： 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：具有器件区的衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层具有台阶状侧壁；位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层，所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区，所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状；位于第一电极层表面的第二电极层，所述第二电极层和第一电极层之间电隔离，且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔，所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
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公开(公告)号：CN104039687A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004918.7
申请日：2013-01-03
申请人： 法国原子能及替代能源委员会
发明人： 伯纳德·迪姆
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/308
CPC分类号： B81C1/00619 , B81B2203/033 , B81B2203/0392 , B81C1/00103 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/014 , H01L21/3083
摘要： 一种用于在基板的第一面中蚀刻所期望的复杂图案(50)的方法，包括以下步骤：穿过基板的第一面同时蚀刻至少第一和第二子图案，所蚀刻的子图案通过至少一个隔墙分开，在第一面，第一子图案的宽度大于第二子图案的宽度，并且沿与上述第一面垂直的方向，第一子图案的深度大于第二子图案的深度；移除或者消除上述隔墙以露出期望的复杂图案(50)的步骤。
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公开(公告)号：CN101599473B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810171192.7
申请日：2008-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/50 , H01L27/02 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B2201/042 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81B2207/056 , B81C2201/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN106604809B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201580040676.6
申请日：2015-07-14
申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
CPC分类号： B81C1/00373 , B29C64/135 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , B81B7/0074 , B81B2201/038 , B81B2201/047 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81C3/001 , B81C99/0095 , B81C2201/0188 , B81C2203/038
摘要： 本发明涉及一种制造微机械组件(1)的方法，其中将能够通过辐射被硬化的液态原料(2)施加到基底上，所述原料通过使用第一辐射源进行局部辐射而在部分体积空间(21)中被硬化，以便生成至少一个三维结构，其中所述三维结构界定至少一个封闭的容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭所述液态原料(2)中的至少一部分。本发明还涉及一种微机械组件，所述微机械组件包括部分通过辐射被硬化的液态原料(2)，并且所述微机械组件包括至少一个容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭有所述液态原料(2)。
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公开(公告)号：CN104280160A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310277644.0
申请日：2013-07-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 洪中山
CPC分类号： B81B7/007 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , G01L9/0073
摘要： 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有第一电极层；位于第一电极层表面的第二介质层，所述器件区的第二介质层具有若干第一开口；位于所述第一开口的侧壁表面的导电侧墙；位于第二介质层表面和第一开口内的第二电极层，所述第二电极层与第二介质层表面、导电侧墙表面和第一开口的底部表面之间具有空腔；位于第二电极层和第二介质层表面的第三介质层，所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的第二开口。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
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公开(公告)号：CN102124549B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980132056.X
申请日：2009-02-20
申请人： 欧姆龙株式会社
CPC分类号： H04R31/006 , B81B2201/0257 , B81B2203/0392 , B81C3/001 , H01L23/552 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2731 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/10158 , H01L2924/16152 , H01L2924/164 , H04R19/005 , H04R19/04 , H01L2924/0715 , H01L2224/48 , H01L2224/45099
摘要： 本发明提供一种半导体装置。半导体元件（53）在上下贯通有截棱锥形状的空洞（73）的基座（71）的上表面设有膜片（72）。在印刷配线基板这样的基板（52）的上表面设有装片用盘（65），半导体元件（53）通过装片树脂（74）将下表面粘接在装片用盘（65）之上。装片用盘（65）将与在半导体元件（53）的空洞（73）的内周面形成的槽部（75）的下端相对的区域除去而形成有开口部（76），装片用盘（65）不与槽部（75）的下端接触。
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