公开(公告)号：CN1187481C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1624207A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1341166A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN100422389C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1327479C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200410038320.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松田哲朗 ,  金子尚史

IPC: H01L21/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C25D5/02 ,  C25D5/022 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H05K3/107 ,  H05K3/423 ,  H05K2203/0392

Abstract: 本发明公开了制造电子器件的方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分，在基础部件的在其上将要形成镀膜的表面上形成导电种子层，以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：在基础部件的所述凹进部分以外的表面上形成抑制电解电镀的物质，其中通过氧化处理、氮化处理和氧氮化处理中的至少一种提供抑制电解电镀的物质。

公开(公告)号：CN107833919B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201710377247.9

申请日：2017-05-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林研也 ,  松田哲朗 ,  桧森洋辅 ,  西口俊史

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施方式提供一种不轻易产生自接通现象的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1电极、第2绝缘部、栅极电极及第2电极。第2绝缘部设置在第1电极之上。栅极电极设置在第2绝缘部之上。在栅极电极的下表面，设置有朝向上方凹陷的第1凹部及第2凹部。第1凹部在第1方向上位于第2凹部与第1侧面之间。第1凹部与第2凹部之间的第1方向上的距离比第1侧面与第1凹部之间的第1方向上的距离长。第2电极设置在第2半导体区域之上及第3半导体区域之上，与第2半导体区域、第3半导体区域及第1电极电连接。

公开(公告)号：CN107833919A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710377247.9

申请日：2017-05-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林研也 ,  松田哲朗 ,  桧森洋辅 ,  西口俊史

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/511 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明的实施方式提供一种不轻易产生自接通现象的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1电极、第2绝缘部、栅极电极及第2电极。第2绝缘部设置在第1电极之上。栅极电极设置在第2绝缘部之上。在栅极电极的下表面，设置有朝向上方凹陷的第1凹部及第2凹部。第1凹部在第1方向上位于第2凹部与第1侧面之间。第1凹部与第2凹部之间的第1方向上的距离比第1侧面与第1凹部之间的第1方向上的距离长。第2电极设置在第2半导体区域之上及第3半导体区域之上，与第2半导体区域、第3半导体区域及第1电极电连接。

公开(公告)号：CN1551295A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038320.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松田哲朗 ,  金子尚史

IPC: H01L21/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C25D5/02 ,  C25D5/022 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H05K3/107 ,  H05K3/423 ,  H05K2203/0392

Abstract: 本发明公开了制造电子器件的方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分，在基础部件的在其上形成镀膜的表面上形成导电种子层，以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：在基础部件的所述凹进部分中存在的加速电解电镀的物质的量大于在基础部件的表面上的量。