公开(公告)号：CN1187481C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1624207A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1341166A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN100422389C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1319130C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

Inventor： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法，对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充，通过保留该填充部分。除去该金属镀膜，形成电路布线。该半导体基片处理装置包括：放入取出部(1)，用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片；金属镀膜成膜单元(2)，用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜；倾斜蚀刻单元(116)，用于腐蚀上述半导体基片的边缘部；研磨单元(10、11)，对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分；及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。

公开(公告)号：CN1341277A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

Inventor： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。

公开(公告)号：CN100416817C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C-H键和C-C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C-H键的C原子和形成C-C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1920674A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610138995.3

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  池上浩 ,  早坂伸夫

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  B23K26/04

Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。

公开(公告)号：CN1197144C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140937.1

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  山田展英 ,  早坂伸夫 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76819

Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。

公开(公告)号：CN100565355C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610138995.3

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  池上浩 ,  早坂伸夫

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  B23K26/04

Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。