公开(公告)号：CN112703580A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980058805.2

申请日：2019-09-09

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金真雄 ,  申承祐 ,  柳次英 ,  郑愚德 ,  柳斗烈 ,  赵星吉 ,  崔豪珉 ,  吴完锡 ,  李郡禹 ,  金基镐

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。

公开(公告)号：CN103081063B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180042742.5

申请日：2011-09-01

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  张吉淳

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明提出一种具有多层结构的半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的半导体元件的制造方法包含如下步骤：在化学气相沉积装臵的腔内部装载基板的步骤；形成多层结构的步骤，通过交替重复在基板上形成掺杂非晶硅层的步骤和在基板上形成含硅绝缘层的步骤来交替层叠多个掺杂非晶硅层和多个绝缘层，其中在基板上形成掺杂非晶硅层的步骤是通过向装载有基板的腔内部注入硅前体和导电型掺杂剂来进行的，而在基板上形成含硅绝缘层的步骤是通过向装载有基板的腔内部注入硅前体和反应气体来进行的。

公开(公告)号：CN102017086B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980115913.5

申请日：2009-04-29

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  朴松焕 ,  郑敬洙

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明公开了一种用于沉积具有超细晶粒的多晶硅薄膜的方法。根据本发明，通过在装载有基材的腔室内部供给源气体来在基材上沉积多晶硅薄膜，其中源气体包含硅基气体和氧基气体。氧基气体和硅基气体的混合比可为0.15以下(不包含0)。薄膜中的氧可为20原子％(原子百分比)以下(不包含0)。

公开(公告)号：CN105612603A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480052521.X

申请日：2014-09-15

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 申承祐 ,  金海元 ,  郑愚德 ,  赵星吉 ,  吴完锡 ,  崔豪珉 ,  李郡禹

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76877 ,  H01L31/202

摘要： 根据本发明的一实施例，在腔内部装载基板的状态下供给源气体和气氛气体而在上述基板上蒸镀非晶硅膜，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上。上述源气体是硅烷(SiH2)，乙硅烷(Si2H6)，二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上。

公开(公告)号：CN104674192A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510007521.4

申请日：2011-10-06

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 赵星吉 ,  金海元 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  张吉淳 ,  吴完锡

IPC分类号： C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 本发明涉及一种三维结构存储元件的制造装置，所述装置包括：用于实行基底加工的腔室；基底支撑台，其设置于所述腔室内并用于放置所述基底，并通过升降而转换至所述基底出入于所述腔室内部的解除位置和对所述基底进行加工的加工位置；环形边，当所述基底支撑台处于所述解除位置时，所述环形边位于所述基底的上部，并且所述环形边具有当所述基底支撑台转换至所述加工位置时，对位于所述基底支撑台上部的所述基底的边缘部施压的施压面。

公开(公告)号：CN102016115B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200980115914.X

申请日：2009-04-29

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  朴松焕 ,  郑敬洙

IPC分类号： C23C16/24

CPC分类号： C23C16/24

摘要： 本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。

公开(公告)号：CN103155138A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048972.2

申请日：2011-10-06

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 赵星吉 ,  金海元 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  张吉淳 ,  吴完锡

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 一种三维结构存储元件的制造方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一种以上气体而蒸镀氧化硅膜的步骤，所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、SiCl2H2群中的气体和基于氨的气体而蒸镀氮化膜的步骤。

公开(公告)号：CN102017085A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115912.0

申请日：2009-04-29

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  朴松焕 ,  郑敬洙

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氧基气体和磷基气体。氧基气体与硅基气体的混合比可为0.15以下(但不包含0)。所述薄膜中的氧可为0.8原子％以下(但不包含0)。

公开(公告)号：CN106062251B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201580009505.7

申请日：2015-01-27

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 申承祐 ,  郑愚德 ,  赵星吉 ,  崔豪珉 ,  吴完锡 ,  李郡禹 ,  权赫龙 ,  朴成真 ,  金基镐 ,  李康旭

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

摘要： 本发明涉及形成硅膜的方法，更详细地涉及在形成硅膜的工序中包含预处理工序的多晶硅膜形成方法。根据本发明的一实施例，硅膜形成方法在对蒸镀于基底上的非晶硅膜进行热处理而制作多晶硅膜的工序中，在热处理之前包括预处理工序，该预处理工序流过包含有N、C、O、B中任一种以上元素的预处理气体。

公开(公告)号：CN103155139B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180048997.2

申请日：2011-10-06

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 赵星吉 ,  金海元 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  张吉淳 ,  吴完锡

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 根据本发明的一实施例，制造垂直结构存储元件的方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤。所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给二氯硅烷（SiCl2H2）而蒸镀第二氧化硅膜的步骤。