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公开(公告)号：CN117737696A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311764893.2
申请日：2023-12-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD工艺设备的柔性尾气回收电路系统，包括加热单元、测温单元、加热开关单元和电子调节器，所述加热单元安装于所述尾气管路上，用于对尾气管路进行加热；所述测温单元安装于所述尾气管路上，用于检测所述尾气管路内的温度；所述测温单元与所述电子调节器相连，用于将检测的温度发送至电子调节器；所述加热开关单元的输入端与所述电子调节器相连，所述加热开关单元的输出端串联在所述加热单元的加热回路中，用于控制加热单元的开启与关闭。本发明能够将尾气管路的温度控制在设定在合理范围，来保证反应产物以气体形式进入尾气处理系统，而且具体过程全部自动完成，提高了系统的自动化水平。
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公开(公告)号：CN112835405B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011640922.0
申请日：2020-12-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种可调触发板及其控制方法，此可调触发板具体包括电源单元和集成应用电路单元，集成应用电路单元的输入端与电源单元的输出端相连；电源单元包括直流稳压源电路和RC串并联电路，RC串并联电路包括可调电阻R01、电阻R02和电容C2，可调电阻R01的一端与直流稳压源电路的一输出端相连，可调电阻R01的另一端与电容C2的一端相连，电容C2的另一端则与直流稳压源电路的另一输出端相连，电阻R02的一端与可调电阻R01的另一端相连，另一端则与地相连；集成应用电路单元包括一路以上的集成应用电路，当集成应用电路为多路时，多路集成应用电路相互并联。本发明具有电压及输出电流可调、安全可靠、操作简便且易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN113692073A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111088069.0
申请日：2021-09-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种无变压器式电热控制电路、控制方法和管式炉，此电路包括第一双向晶闸管和第二双向晶闸管，所述第一双向晶闸管的一个主电极与三相电源中的一相相连，另一个主电极与电热体的一端相连，所述第一双向晶闸并联有第一阻容吸收单元；所述第二双向晶闸管的一个主电极与三相电源中的另一相相连，另一个主电极与电热体的另一端相连，所述第二双向晶闸并联有第二阻容吸收单元；所述第一双向晶闸管的控制端G1和第二双向晶闸管的控制端G2为两个同步输入控制端。本发明具有结构简单、成本低、加热快速且可控等优点。
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公开(公告)号：CN112951950A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110302723.7
申请日：2021-03-22
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，包括以下步骤：低浓度氧化；高浓度杂质源扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；高浓度杂质源升温扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；升温推进；升温氧化，对杂质源进行快速增强氧化，直至硅片表面杂质源总量与PN结深所需的杂质源总量相同。本发明低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，在不影响生产产能前提下，提高PN结深的一致性和扩散方阻的均匀性和稳定性，有利于提高池转换效率，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN112835405A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011640922.0
申请日：2020-12-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种可调触发板及其控制方法，此可调触发板具体包括电源单元和集成应用电路单元，集成应用电路单元的输入端与电源单元的输出端相连；电源单元包括直流稳压源电路和RC串并联电路，RC串并联电路包括可调电阻R01、电阻R02和电容C2，可调电阻R01的一端与直流稳压源电路的一输出端相连，可调电阻R01的另一端与电容C2的一端相连，电容C2的另一端则与直流稳压源电路的另一输出端相连，电阻R02的一端与可调电阻R01的另一端相连，另一端则与地相连；集成应用电路单元包括一路以上的集成应用电路，当集成应用电路为多路时，多路集成应用电路相互并联。本发明具有电压及输出电流可调、安全可靠、操作简便且易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN118814143A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410795450.8
申请日：2024-06-19
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种PECVD设备放电异常的时间补偿方法及系统，方法包括步骤：淀积开始后，判断是否有电弧产生；当采集一个Ton里,有电弧的产生且Tarc/Ton≤a％时，在Blinkon周期的最后补偿上因灭弧损失的舟波数；当采集到一个Ton里a％ a。本发有具有原理简单、操作简便、自动化程度高、检测精度高、处理效果好等优点。
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公开(公告)号：CN112951950B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110302723.7
申请日：2021-03-22
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，包括以下步骤：低浓度氧化；高浓度杂质源扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；高浓度杂质源升温扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；升温推进；升温氧化，对杂质源进行快速增强氧化，直至硅片表面杂质源总量与PN结深所需的杂质源总量相同。本发明低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，在不影响生产产能前提下，提高PN结深的一致性和扩散方阻的均匀性和稳定性，有利于提高池转换效率，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN111628045B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010467764.7
申请日：2020-05-28
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法，包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在缓存架上设置检测石墨舟是否有无镀膜的装置，增加两步是否镀膜检测步骤，其一为机械手根据检测结果直接抓取缓存架上无镀膜的石墨舟放入推舟机构上，然后由推舟机构送入反应室内镀膜，可避免出现反应室内出现二次镀膜，其二为机械手根据检测结果抓取缓存架上有镀膜的石墨舟放在传送机构上，由传送机构送入插取片机进行取片，避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序，确保每一舟硅片完成镀膜，而且没有重复镀膜，保证了生产流程的顺畅。
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公开(公告)号：CN111628045A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010467764.7
申请日：2020-05-28
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法，包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在缓存架上设置检测石墨舟是否有无镀膜的装置，增加两步是否镀膜检测步骤，其一为机械手根据检测结果直接抓取缓存架上无镀膜的石墨舟放入推舟机构上，然后由推舟机构送入反应室内镀膜，可避免出现反应室内出现二次镀膜，其二为机械手根据检测结果抓取缓存架上有镀膜的石墨舟放在传送机构上，由传送机构送入插取片机进行取片，避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序，确保每一舟硅片完成镀膜，而且没有重复镀膜，保证了生产流程的顺畅。
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公开(公告)号：CN212082038U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020436502.X
申请日：2020-03-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： F27D9/00
摘要： 本实用新型公开了一种炉体水冷装置，包括至少一个水冷单元，每个水冷单元包括环形水冷片，所述环形水冷片包括由水冷管沿炉体圆周方向蛇形布置形成。本实用新型通过多个水冷单元拼接式的形成水冷装置，各个水冷单元可单独控制，可以实现对炉体其中一段进行加热或者局部加热，便于对炉体各区域温度更加精准控制，以便满足电池片生产更高工艺的要求，并且拼接式的结构，在更换或者拆卸时极其方便，不需要将整个水冷结构拆卸。
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