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公开(公告)号：CN108521694B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810273423.9
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司
IPC分类号： H05B45/30 , H05B45/345 , H05B45/37
摘要： 本发明公开了一种带反馈变频恒流驱动的LED半桥电路，包括依次串接的输入整流滤波电路、基于IR2151、IR2153、IR2155驱动芯片中的一种芯片的半桥控制电路、隔离变压器、输出整流滤波电路，还包括为半桥控制电路的电源端口连接的电解电容充电的控制芯片供电电路，所述控制芯片供电电路的输入端连接半桥控制电路的半桥中点，输出端连接半桥控制芯片的电源端。本发明结构简单，令输出的驱动电流更加稳定。本发明适用于驱动大功率LED。
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公开(公告)号：CN108521694A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810273423.9
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司
IPC分类号： H05B33/08
摘要： 本发明公开了一种带反馈变频恒流驱动的LED半桥电路，包括依次串接的输入整流滤波电路、基于IR2151、IR2153、IR2155驱动芯片中的一种芯片的半桥控制电路、隔离变压器、输出整流滤波电路，还包括为半桥控制电路的电源端口连接的电解电容充电的控制芯片供电电路，所述控制芯片供电电路的输入端连接半桥控制电路的半桥中点，输出端连接半桥控制芯片的电源端。本发明结构简单，令输出的驱动电流更加稳定。本发明适用于驱动大功率LED。
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公开(公告)号：CN108389853A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810271390.4
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本发明将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本发明适用于电子器件技术领域。
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公开(公告)号：CN110491967B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910823544.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 上海联芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110491967A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910823544.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN208300070U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201820437251.X
申请日：2018-03-29
申请人： 成都智芯微科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H05B33/08
摘要： 本实用新型公开了一种基于调频镇流实现恒流的大功率LED驱动电路，包括依次串接的输入整流滤波电路、基于IR2151、IR2153、IR2155驱动芯片中的一种芯片的半桥控制电路、隔离变压器、输出整流滤波电路，还包括为半桥控制电路的电源端口连接的电解电容充电的控制芯片供电电路，所述控制芯片供电电路的输入端连接半桥控制电路的半桥中点，输出端连接半桥控制芯片的电源端。本实用新型结构简单，令输出的驱动电流更加稳定。本实用新型适用于驱动大功率LED。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208368500U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820438765.7
申请日：2018-03-29
申请人： 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H02M7/00
摘要： 本实用新型公开了一种超薄带单向TVS抗浪涌的MINI整流桥，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS管芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本实用新型将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本实用新型适用于电子器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110416250A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 气派科技股份有限公司 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110416250B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110518032B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910824277.9
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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