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公开(公告)号：CN111933616B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202010396333.6
申请日：2020-05-12
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 本发明提供一种半导体装置，对多个半导体元件和控制元件进行一封装化，实现寄生电感、寄生电阻的降低。半导体装置具备：在元件主面(1a)配置有漏电极(11)、源电极(12)及门电极漏电极(21)、源电极(22)及门电极(23)的半导体元件(2)；与门电极(13)及门电极(23)导通的控制元件；包括互相分离的多个引线的引线框。多个引线包括搭载半导体元件(1)的引线(4A)、搭载半导体元件(2)的引线(4B)及搭载控制元件的引线(4C)，引线(4A)和引线(4B)在x方向观察互相重合，引线(4C)在y方向观察与引线(4A)以及引线(4B)双方重合。(13)的半导体元件(1)；在元件主面(2a)配置有
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公开(公告)号：CN104541378A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380044071.5
申请日：2013-08-13
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L29/0869 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7827 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 本发明的半导体装置包括：半导体层，具有依次层叠有第一导电型的漏极层、第二导电型的沟道层以及第一导电型的源极层的构造，所述源极层在所述半导体层的表面露出；栅极沟槽，从所述半导体层的所述表面起贯通所述源极层和所述沟道层，最深部达到所述漏极层；栅极绝缘膜，模仿所述栅极沟槽的内表面和所述半导体层的所述表面而形成；以及栅极电极，经由所述栅极绝缘膜被埋入于所述栅极沟槽，所述栅极绝缘膜的与所述半导体层的所述表面相接的部分与在所述栅极沟槽的侧面与所述沟道层相接的部分相比被形成得厚。
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公开(公告)号：CN112805829A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066078.4
申请日：2019-10-09
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 半导体装置(A1)具备：第一端子(201A)和第二端子(201B)；具有第一栅极电极(12A)、第一源极电极(13A)和第一漏极电极(14A)的第一开关元件(1A)；具有第二栅极电极(12B)、第二源极电极(13B)和第二漏极电极(14B)的第二开关元件(1B)。在第一端子(201A)和第二端子(201B)之间串联连接有第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)。半导体装置(A1)具备在第一端子(201A)和第二端子(201B)之间与第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)并联连接的第一电容器(3A)。第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)在x方向上排列。第一电容器(3A)在z方向视角下与第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)的至少其一重叠。采用这种结构能够抑制浪涌电压。
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公开(公告)号：CN108155087A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810083012.3
申请日：2013-04-22
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/049 , H01L21/3247 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7811
摘要： 公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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公开(公告)号：CN104247028B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201380022113.5
申请日：2013-04-22
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/049 , H01L21/3247 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7811
摘要： 提供一种能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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公开(公告)号：CN116013974A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310046900.9
申请日：2013-04-22
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/16
摘要： 公开了一种半导体装置，其包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2、)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9、)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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公开(公告)号：CN111933616A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010396333.6
申请日：2020-05-12
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 本发明提供一种半导体装置，对多个半导体元件和控制元件进行一封装化，实现寄生电感、寄生电阻的降低。半导体装置具备：在元件主面(1a)配置有漏电极(11)、源电极(12)及门电极(13)的半导体元件(1)；在元件主面(2a)配置有漏电极(21)、源电极(22)及门电极(23)的半导体元件(2)；与门电极(13)及门电极(23)导通的控制元件；包括互相分离的多个引线的引线框。多个引线包括搭载半导体元件(1)的引线(4A)、搭载半导体元件(2)的引线(4B)及搭载控制元件的引线(4C)，引线(4A)和引线(4B)在x方向观察互相重合，引线(4C)在y方向观察与引线(4A)以及引线(4B)双方重合。
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公开(公告)号：CN110010462A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910035769.X
申请日：2013-08-13
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明的半导体装置包括：半导体层，具有依次层叠有第一导电型的漏极层、第二导电型的沟道层以及第一导电型的源极层的构造，所述源极层在所述半导体层的表面露出；栅极沟槽，从所述半导体层的所述表面起贯通所述源极层和所述沟道层，最深部达到所述漏极层；栅极绝缘膜，模仿所述栅极沟槽的内表面和所述半导体层的所述表面而形成；以及栅极电极，经由所述栅极绝缘膜被埋入于所述栅极沟槽，所述栅极绝缘膜的与所述半导体层的所述表面相接的部分与在所述栅极沟槽的侧面与所述沟道层相接的部分相比被形成得厚。
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公开(公告)号：CN108155087B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201810083012.3
申请日：2013-04-22
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/16
摘要： 公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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