公开(公告)号：CN105990179B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610150741.7

申请日：2016-03-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  E·巴彻 ,  M·A·博戴 ,  G·法斯钦 ,  T·奥斯特曼

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本公开涉及用于双重区域分割的系统和方法。其中，一种用于半导体制造的方法包括形成通过分割区域和接触区域分离的半导体电路的第一阵列和半导体电路的第二阵列。该方法还包括在衬底的分割区域内形成工艺控制监控结构的第一阵列。该方法还包括形成设置在接触区域中的接触焊盘的第一阵列。该方法还包括形成工艺控制监控结构的第一阵列与接触焊盘的第一阵列之间的电连接，其中工艺控制监控结构的第一阵列的所有外部电连接均被制造为穿过接触焊盘的第一阵列。

公开(公告)号：CN104183642B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201310287628.X

申请日：2013-05-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  M·聪德尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及用于垂直MOSFET的终端布置。器件和技术的代表性实施提供了针对晶体管结构的终端布置。晶体管结构的外围可以包括具有布置为改进晶体管在击穿或接近击穿时的性能的特征的凹槽区域。

公开(公告)号：CN105990179A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610150741.7

申请日：2016-03-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  E·巴彻 ,  M·A·博戴 ,  G·法斯钦 ,  T·奥斯特曼

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L22/34 ,  G06F17/5072 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/146 ,  H01L21/67253

摘要： 本公开涉及用于双重区域分割的系统和方法。其中，一种用于半导体制造的方法包括形成通过分割区域和接触区域分离的半导体电路的第一阵列和半导体电路的第二阵列。该方法还包括在衬底的分割区域内形成工艺控制监控结构的第一阵列。该方法还包括形成设置在接触区域中的接触焊盘的第一阵列。该方法还包括形成工艺控制监控结构的第一阵列与接触焊盘的第一阵列之间的电连接，其中工艺控制监控结构的第一阵列的所有外部电连接均被制造为穿过接触焊盘的第一阵列。

公开(公告)号：CN110008490B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201811423613.0

申请日：2016-03-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  E·巴彻 ,  M·A·博戴 ,  G·法斯钦 ,  T·奥斯特曼

IPC分类号： G06F30/392 ,  H01L21/66

摘要： 本公开涉及用于双重区域分割的系统和方法。其中，一种用于半导体制造的方法包括形成通过分割区域和接触区域分离的半导体电路的第一阵列和半导体电路的第二阵列。该方法还包括在衬底的分割区域内形成工艺控制监控结构的第一阵列。该方法还包括形成设置在接触区域中的接触焊盘的第一阵列。该方法还包括形成工艺控制监控结构的第一阵列与接触焊盘的第一阵列之间的电连接，其中工艺控制监控结构的第一阵列的所有外部电连接均被制造为穿过接触焊盘的第一阵列。

公开(公告)号：CN104183642A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310287628.X

申请日：2013-05-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  M·聪德尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明涉及用于垂直MOSFET的终端布置。器件和技术的代表性实施提供了针对晶体管结构的终端布置。晶体管结构的外围可以包括具有布置为改进晶体管在击穿或接近击穿时的性能的特征的凹槽区域。

公开(公告)号：CN110008490A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811423613.0

申请日：2016-03-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·伍德 ,  E·巴彻 ,  M·A·博戴 ,  G·法斯钦 ,  T·奥斯特曼

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/66

摘要： 本公开涉及用于双重区域分割的系统和方法。其中，一种用于半导体制造的方法包括形成通过分割区域和接触区域分离的半导体电路的第一阵列和半导体电路的第二阵列。该方法还包括在衬底的分割区域内形成工艺控制监控结构的第一阵列。该方法还包括形成设置在接触区域中的接触焊盘的第一阵列。该方法还包括形成工艺控制监控结构的第一阵列与接触焊盘的第一阵列之间的电连接，其中工艺控制监控结构的第一阵列的所有外部电连接均被制造为穿过接触焊盘的第一阵列。