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1.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105321891A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510274149.3

申请日：2015-05-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴念芳 , 史朝文 , 江永平 , 蔡豪益

IPC分类号： H01L23/24 , H01L21/54

CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3142 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2224/03

摘要： 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。

2.

发明授权
半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法有权

公开(公告)号：CN100573859C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710161821.3

申请日：2007-09-24

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： D·西佩 , R·巴耶勒

IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48747 , H01L2224/48766 , H01L2224/48847 , H01L2224/48866 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/78313 , H01L2224/82105 , H01L2224/82106 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/8501 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法。一种半导体装置具有含有第一表面和第二表面的硅本体，和设置在硅本体的至少一个表面上的厚金属层。该厚金属层的厚度至少为10微米(μm)。

3.

发明公开
半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法有权

公开(公告)号：CN101165884A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710161821.3

申请日：2007-09-24

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： D·西佩 , R·巴耶勒

IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48747 , H01L2224/48766 , H01L2224/48847 , H01L2224/48866 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/78313 , H01L2224/82105 , H01L2224/82106 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/8501 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法。一种半导体装置具有含有第一表面和第二表面的硅本体，和设置在硅本体的至少一个表面上的厚金属层。该厚金属层的厚度至少为10微米(μm)。

4.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1192430C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00104927.5

申请日：2000-04-04

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 亚力山大·L·巴尔 , 苏勒士·梵卡特散 , 戴维·B·克勒格 , 勒波卡·G·考尔 , 奥鲁布恩米·阿德突突 , 斯杜尔特·E·格力尔 , 布瑞安·G·安舍尼 , 拉姆那施·凡卡特拉曼 , 格勒帼·布雷科尔曼 , 道格拉斯·M·勒博 , 斯蒂芬·R·克朗

IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76849 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76813 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/54473 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05572 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01016 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05169 , H01L2924/013 , H01L2924/0496 , H01L2924/0539 , H01L2924/0538 , H01L2924/0537

摘要： 一种覆盖半导体器件衬底(10)的互连。在一个实施例中，导电势垒层覆盖部分互连，钝化层(92)覆盖导电势垒层，且钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。在一个变通实施例中，钝化层(22)覆盖互连，钝化层(22)具有暴露互连的窗口(24)，且导电势垒层(32)覆盖窗口(24)中的互连。

5.

发明公开
用于输入/输出的球限定冶金结构及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1446375A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN01811988.3

申请日：2001-06-08

申请人： 英特尔公司

发明人： K·塞沙

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485

CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05172 , H01L2224/05572 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , Y10T428/12556 , H01L2224/29099 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05655 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184

摘要： 本发明涉及用于器件的输入/输出及其制造方法。本发明的输入/输出包括其上形成有球限定冶金结构的焊盘，和球限定冶金结构上形成的凸起。本发明的一个实施例中，球限定冶金结构包括含有镍－钒－氮的第一膜。本发明的第二实施例中，球限定冶金结构包括含有镍－铌合金的第一膜。

6.

发明公开
层叠式半导体器件结构及其制作方法有权

公开(公告)号：CN106549009A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610824950.5

申请日：2016-09-14

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登 , F·J·卡尼

IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/02035 , H01L21/288 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/4825 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/67069 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/4822 , H01L23/49503 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/14 , H01L27/14625 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L29/0847 , H01L2221/68327 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05184 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/48091 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M3/158 , H01L25/074

摘要： 本公开涉及层叠式半导体器件结构及其制作方法。本发明提供了一种层叠式半导体器件结构，所述层叠式半导体器件结构包括第一半导体器件和第二半导体器件。所述第一半导体器件包括由相对的侧壁部分界定的凹面部分，所述侧壁部分向外延伸来限定凹陷区域。导电层至少沿着所述凹面部分设置。所述第二半导体器件设置在所述凹陷部分内，并电连接到所述导电层。在一个实施方案中，所述层叠式半导体器件连接到导电引线框，并且至少部分地被封装主体包封。

7.

发明公开
半导体器件及其裸片接合结构无效

公开(公告)号：CN104617067A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410613709.9

申请日：2014-11-04

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 黄圭孝 , 李锺洪 , 崔甲秀 , 田且秀 , 朴进相 , 裵相甫 , 朴用鈱 , 安星桭

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49531 , H01L23/4827 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/04026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05172 , H01L2224/05617 , H01L2224/0562 , H01L2224/05623 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05666 , H01L2224/05672 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29117 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/32245 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/83191 , H01L2224/83825 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

摘要： 提供了一种半导体器件及其接合结构，其中不与半导体裸片或引线框架形成金属间化合物，从而改善电特性和机械特性以及可润湿性，且抑制裸片接合材料的聚集。所述半导体器件包括：半导体裸片、形成在半导体裸片的表面上的阻挡层、形成在阻挡层上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间金属层，以及形成在中间金属层上的第二金属层。这里，第一金属层和第二金属层具有第一熔化温度，中间金属层具有低于第一熔化温度的第二熔化温度。

8.

发明公开
导电结构及其形成方法有权

公开(公告)号：CN103123917A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210052495.3

申请日：2012-02-13

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新 , 齐中邦

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/034 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05172 , H01L2224/05184 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/11831 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13022 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552

摘要： 本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。