公开(公告)号：CN104134686B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410183352.5

申请日：2014-04-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  M·施密特 ,  W·凯因德尔 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/105 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了一种形成于超结结构器件中半导体部分中的超结结构。该超结结构包括具有第一导电型的第一补偿层和具有互补的第二导电型的第二补偿层的补偿结构。该补偿结构对补偿沟槽的至少侧壁部分加衬，补偿沟槽沿垂直于该半导体部分的第一表面的垂直方向延伸。在该超结结构和邻接该超结结构的基座层中，横向补偿率的符号沿该垂直方向变化导致局部垂直电场梯度峰值并从而改进雪崩强度。

公开(公告)号：CN104134686A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183352.5

申请日：2014-04-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  M·施密特 ,  W·凯因德尔 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/105 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了一种形成于超结结构器件中半导体部分中的超结结构。该超结结构包括具有第一导电型的第一补偿层和具有互补的第二导电型的第二补偿层的补偿结构。该补偿结构对补偿沟槽的至少侧壁部分加衬，补偿沟槽沿垂直于该半导体部分的第一表面的垂直方向延伸。在该超结结构和邻接该超结结构的基座层中，横向补偿率的符号沿该垂直方向变化导致局部垂直电场梯度峰值并从而改进雪崩强度。

公开(公告)号：CN105206671A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510347674.3

申请日：2015-06-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： C·法赫曼 ,  E·维西诺瓦斯奎兹 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/07 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/0843

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。

公开(公告)号：CN105895692B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201510246933.3

申请日：2015-05-14

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  B·费舍尔 ,  J·韦耶斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种具有补偿结构的半导体器件，包括：半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取第一输出电荷梯度，通过将漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至耗尽电压而获取第二输出电荷梯度。在耗尽电压处，第一输出电荷梯度呈现最大曲率。

公开(公告)号：CN103996700B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410052735.9

申请日：2014-02-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F·希尔勒 ,  W·凯因德尔 ,  H-J·舒尔策 ,  U·瓦尔 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明的实施例涉及包括注入区的超级结半导体器件。在具有第一表面和平行于第一表面的工作表面的半导体衬底中，形成了第一和第二导电类型的圆柱状第一和第二超级结区域。第一和第二超级结区域在垂直于第一表面的方向上延伸并形成超级结结构。将半导体部分变薄，使得在变薄之后具有第二导电类型的第一超级结区域与从该工作表面得到的第二表面之间的距离不超过30μm。杂质被注入第二表面以形成一个或多个注入区。这些实施例将多种超级结方法与通过薄晶片技术实现的后侧注入物进行结合。

公开(公告)号：CN105895692A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510246933.3

申请日：2015-05-14

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  B·费舍尔 ,  J·韦耶斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种具有补偿结构的半导体器件，包括：半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取第一输出电荷梯度，通过将漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至耗尽电压而获取第二输出电荷梯度。在耗尽电压处，第一输出电荷梯度呈现最大曲率。

公开(公告)号：CN103996705A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410053636.2

申请日：2014-02-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  U·瓦尔

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 一种超级结半导体器件包括具有平行的第一和第二表面的半导体部分。在半导体部分中形成第一导电类型的杂质层。在第一表面和杂质层之间，超级结结构包括第一导电类型的第一列和第二导电类型的第二列。第一和第二列之间的补偿率的符号可以沿着垂直于第一表面的列的竖直延伸而变化。在第一表面和第二列中的一个列之间形成第二导电类型的主体区域。第二导电类型的场延伸区域可以电连接到主体区域，或者第一导电类型的场延伸区域可以连接到杂质层。场延伸区域改善了半导体器件的雪崩特性。

公开(公告)号：CN113241344A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110545832.1

申请日：2015-06-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： C·法赫曼 ,  E·维西诺瓦斯奎兹 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。

公开(公告)号：CN105206671B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201510347674.3

申请日：2015-06-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： C·法赫曼 ,  E·维西诺瓦斯奎兹 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。

公开(公告)号：CN103996705B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410053636.2

申请日：2014-02-17

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·威尔梅洛斯 ,  F·希尔勒 ,  U·瓦尔

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 一种超级结半导体器件包括具有平行的第一和第二表面的半导体部分。在半导体部分中形成第一导电类型的杂质层。在第一表面和杂质层之间，超级结结构包括第一导电类型的第一列和第二导电类型的第二列。第一和第二列之间的补偿率的符号可以沿着垂直于第一表面的列的竖直延伸而变化。在第一表面和第二列中的一个列之间形成第二导电类型的主体区域。第二导电类型的场延伸区域可以电连接到主体区域，或者第一导电类型的场延伸区域可以连接到杂质层。场延伸区域改善了半导体器件的雪崩特性。