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公开(公告)号：CN105870162A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610078275.6
申请日：2016-02-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/266
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/046 , H01L21/0465 , H01L21/26546 , H01L21/266 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003
摘要： 本发明涉及基于SiC的超结半导体器件。提出了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体主体，该半导体主体包括显示出小于硅的相应掺杂剂扩散系数的掺杂剂扩散系数的半导体主体材料；至少一个第一半导体区，该至少一个第一半导体区用第一导电性类型的掺杂剂掺杂，并且显示出沿着延伸方向延伸到半导体主体中的圆柱形状，其中至少一个第一半导体区的分别宽度沿着所述延伸方向连续地增加；包含在半导体主体中的至少一个第二半导体区，该至少一个第二半导体区邻近于至少一个第一半导体区布置，并且用与第一导电性类型互补的第二导电性类型的掺杂剂掺杂。
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公开(公告)号：CN105957887B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610440954.3
申请日：2013-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611
摘要： 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。
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公开(公告)号：CN105609407B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510776583.1
申请日：2015-11-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法，包括：将定义剂量的质子注入到半导体衬底中，并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数，选择质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112017954A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010466379.0
申请日：2020-05-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 公开了具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法。提供了一种碳化硅衬底(700)，其包括第一导电类型的漂移层(730)和从碳化硅衬底(700)的主表面(701)延伸到漂移层(730)中的沟槽(770)。将第一掺杂剂注入通过沟槽(770)的第一沟槽侧壁(771)。第一掺杂剂具有第二导电类型，并且被以第一注入角度注入到碳化硅衬底(700)中，其中在第一注入角度下发生沟道效应。第一掺杂剂形成平行于第一沟槽侧壁(771)延伸的第一补偿层(181)。
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公开(公告)号：CN105609407A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510776583.1
申请日：2015-11-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L21/265 , H01L29/66325 , H01L29/7393
摘要： 本发明涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法，包括：将定义剂量的质子注入到半导体衬底中，并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数，选择质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103578941B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310301838.X
申请日：2013-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611
摘要： 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。
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公开(公告)号：CN105957887A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610440954.3
申请日：2013-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611
摘要： 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。
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公开(公告)号：CN103578941A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310301838.X
申请日：2013-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611
摘要： 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。
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