公开(公告)号：CN103329263B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180049007.7

申请日：2011-08-10

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赖玉清 ,  F·Y·何 ,  W·K·南 ,  K·E·龙 ,  S·冯 ,  关凯澄

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49427 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8503 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中，形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片，其中，该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块，其中，该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块，其中，该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。