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公开(公告)号：CN103329263B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180049007.7
申请日：2011-08-10
申请人： 赛普拉斯半导体公司
CPC分类号： H01L24/49 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48456 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48997 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49427 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/8503 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48455 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中，形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片，其中，该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块，其中，该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块，其中，该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。
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公开(公告)号：CN103329263A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180049007.7
申请日：2011-08-10
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： H01L24/49 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48456 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48997 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49427 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/8503 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48455 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中，形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片，其中，该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块，其中，该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块，其中，该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。
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公开(公告)号：CN102800602A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210167092.3
申请日：2012-05-23
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/007 , H01L23/3128 , H01L23/495 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/1134 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/4383 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/781 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/8503 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/00015 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01018 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001
摘要： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。更具体而言，提供了如下一种技术，该技术在使用易于氧化的传导接线形成初始焊球和将初始焊球按压在焊盘上以形成经按压键合的焊球中，抑制初始焊球具有形状缺陷，从而减少对焊盘的损伤。为了实现该目的，焊球形成单元装配有用于排出抗氧化剂气体的气体出口部分，并且在与引入抗氧化剂气体进入焊球形成部分的方向不同的方向上放置通过该气体出口部分的排出路径。这种结构加宽了用于排出抗氧化剂气体的区域，从而使得可以防止从焊球形成部分的一侧表面的侧部供应的气流被与该一侧表面相对的另一侧表面反射，并且因而可以防止形成湍流。
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