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公开(公告)号：CN103887247A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310704329.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/473 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/46 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83815 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括：大致平面绝缘金属衬底，其具有至少一个切口区域；至少一个大致平面陶瓷衬底，其布置在所述切口区域内，其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架，所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层；至少一个功率半导体器件，其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧；至少一个控制器件，其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面；功率覆盖层，所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件；以及冷却流体容器，所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层，其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。
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公开(公告)号：CN103811433A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310572275.8
申请日：2013-11-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/19 , H01L23/3735 , H01L23/49805 , H01L23/49844 , H01L23/49894 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种表面安装封装件，其包括至少一个半导体装置和POL封装和互连系统，所述POL封装和互连系统围绕所述至少一个半导体装置形成且被构造成使表面安装封装件能够安装到外部电路。POL系统包括上覆一个或多个半导体装置的第一表面的介电层和金属互连结构，该金属互连结构延伸通过穿过介电层形成的通路或开口以便电联接到一个或多个半导体装置上的连接垫。金属化层形成于包括平坦的平面结构的金属互连结构上方，并且双面陶瓷基板定位在一个或多个半导体装置的第二表面上，其中双面陶瓷基板被构造成当表面安装封装件接合到其上时使一个或多个半导体装置的漏极与外部电路电隔离并且将热量传导离开一个或多个半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108432137A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680077314.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 陶峰峰 , J.S.格拉泽 , M.J.舒滕 , J.J.纳萨多斯基 , M.哈夫曼-托多罗维奇
IPC: H03K17/687 , H01L23/52
CPC classification number: H03K17/162 , H03K17/687 , H03K17/691 , H05K3/36
Abstract: 一种系统包括：SiC半导体功率装置；电力供应器板，其被配置成经由连接器向第一栅极驱动器板提供功率；所述第一栅极驱动器板，其被耦合且配置成向所述SiC半导体功率装置提供电流，其中所述第一栅极驱动器电路板经由所述连接器耦合到所述电力供应器板，且其中所述第一栅极驱动器板与所述电力供应器板分离；以及互连板，其耦合到所述第一栅极驱动器板，其中所述互连板被配置成将所述第一栅极驱动器板耦合到第二栅极驱动器板。
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公开(公告)号：CN103368456B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310113722.3
申请日：2013-04-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H02M3/33584 , H01L41/042 , H01L41/107 , H02M2001/0077 , H02N2/0075 , Y10T29/42 , Y10T307/549
Abstract: 本申请公开用于驱动压电负载的系统和制造其的方法。一种驱动器系统包括直流（DC）电压和第一双向DC‑到‑DC转换器，其具有耦合到DC电压源的一次侧以及二次侧并且配置成将一次侧上的第一电压转换成二次上的第二电压。该驱动器系统还包括第二双向DC‑到‑DC转换器，其具有耦合到DC电压源的一次侧和耦合到第一双向DC‑到‑DC转换器的二次侧的二次侧并且配置成将一次侧上的第一电压转换成二次上的第三电压。该第一和第二双向DC‑到‑DC转换器能够提升第一电压，并且第二控制信号是第一控制信号的补。第二与第三电压之间的电压差包括输出电压，其包括第一控制信号的放大。
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公开(公告)号：CN103811433B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201310572275.8
申请日：2013-11-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 一种表面安装封装件，其包括至少一个半导体装置和POL封装和互连系统，所述POL封装和互连系统围绕所述至少一个半导体装置形成且被构造成使表面安装封装件能够安装到外部电路。POL系统包括上覆一个或多个半导体装置的第一表面的介电层和金属互连结构，该金属互连结构延伸通过穿过介电层形成的通路或开口以便电联接到一个或多个半导体装置上的连接垫。金属化层形成于包括平坦的平面结构的金属互连结构上方，并且双面陶瓷基板定位在一个或多个半导体装置的第二表面上，其中双面陶瓷基板被构造成当表面安装封装件接合到其上时使一个或多个半导体装置的漏极与外部电路电隔离并且将热量传导离开一个或多个半导体装置。
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公开(公告)号：CN103887247B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201310704329.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/473 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/46 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83815 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括：大致平面绝缘金属衬底，其具有至少一个切口区域；至少一个大致平面陶瓷衬底，其布置在所述切口区域内，其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架，所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层；至少一个功率半导体器件，其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧；至少一个控制器件，其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面；功率覆盖层，所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件；以及冷却流体容器，所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层，其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。
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公开(公告)号：CN103368456A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310113722.3
申请日：2013-04-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H02M3/33584 , H01L41/042 , H01L41/107 , H02M2001/0077 , H02N2/0075 , Y10T29/42 , Y10T307/549
Abstract: 本申请公开用于驱动压电负载的系统和制造其的方法。一种驱动器系统包括直流（DC）电压和第一双向DC-到-DC转换器，其具有耦合到DC电压源的一次侧以及二次侧并且配置成将一次侧上的第一电压转换成二次上的第二电压。该驱动器系统还包括第二双向DC-到-DC转换器，其具有耦合到DC电压源的一次侧和耦合到第一双向DC-到-DC转换器的二次侧的二次侧并且配置成将一次侧上的第一电压转换成二次上的第三电压。该第一和第二双向DC-到-DC转换器能够提升第一电压，并且第二控制信号是第一控制信号的补。第二与第三电压之间的电压差包括输出电压，其包括第一控制信号的放大。
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