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公开(公告)号：CN103531493A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310267888.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49586 , H01L24/97 , H01L2924/181 , Y10T29/49121 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装及其制作方法。改进集成电路封装(140)的锯切单质量和可润湿性的结构和方法中，集成电路封装(140)组装有引线框(112)，引线框(112)在引线中有半蚀刻凹座(134)。形成半导体器件封装的方法包括提供具有多个引线框的引线框条(110)。每个引线框包括在切单所述条之前至少部分被材料(400)填充的凹陷(130)。
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公开(公告)号：CN102656673B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080056932.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83
Abstract: 提供了一种用于使第一晶片（105）与第二晶片（103）电耦合的方法。该方法包括使用接合材料（121）来使第一晶片与第二晶片接合。该方法还包括在第一晶片中在第二晶片的划线区（141或143）内形成开口（201或203）以使第二晶片的导电结构（108或112）的表面露出。该方法还包括形成覆盖于第一晶片及第一晶片内的开口之上的导电层，使得导电层与第二晶片的导电结构（108或112）形成电接触，从而使第一晶片与第二晶片电耦合。
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公开(公告)号：CN102656673A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056932.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/097 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06155 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2224/83
Abstract: 提供了一种用于使第一晶片（105）与第二晶片（103）电耦合的方法。该方法包括使用接合材料（121）来使第一晶片与第二晶片接合。该方法还包括在第一晶片中在第二晶片的划线区（141或143）内形成开口（201或203）以使第二晶片的导电结构（108或112）的表面露出。该方法还包括形成覆盖于第一晶片及第一晶片内的开口之上的导电层，使得导电层与第二晶片的导电结构（108或112）形成电接触，从而使第一晶片与第二晶片电耦合。
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