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公开(公告)号：CN103430315A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180061638.0
申请日：2011-12-20
申请人： 香港科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7926 , H01L29/408 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/66833 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/792
摘要： 本发明提供一种具有更高可靠性的功率半导体器件及其制造方法。一方面，所述功率半导体器件是具有对寄生双极晶体管（BJT）开启的增强抑制和正常阈值电压的功率场效应晶体管（FET）。所述器件包括：第一导电类型的掺杂源区（14）、第二导电类型的掺杂体区（15）、短接掺杂体区（15）与掺杂源区（14）的源极（20）、第一导电类型的掺杂漂移区（10）、覆盖掺杂体区（15）的表面并形成从掺杂源区（14）到掺杂漂移区（10）的沟道的栅介质区（36）的第一层（30）、在第一层（30）上的栅介质区（36）的第二层（31）、在第二层（31）上的栅介质区（36）的第三层（32）、在第三层（32）上的栅极（21）。
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公开(公告)号：CN102738128A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086236.2
申请日：2012-03-28
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H01L28/10 , H01F17/0033 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。一种电感器还可以包括形成于衬底中并且连接至导电绕组的对应部分的导电通孔。而且，一种变压器可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的对应部分相邻的第一和第二导电绕组围绕的闭环/有间隙的磁芯、以及分别形成于衬底和第一、第二导电绕组之间、以及闭环/有间隙的磁芯和第一、第二导电绕组之间的绝缘层。
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公开(公告)号：CN105264661B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480015874.2
申请日：2014-03-25
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H05B37/0227 , F21V5/004 , F21V9/00 , F21V29/70 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , G08G1/07 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L25/0753 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/16 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H05B33/0854 , H05B37/0218 , H05B37/0272
摘要： 提供了一种照明器件。该照明器件包括衬底、多个集成电路(22’、24)、多个嵌入式无源元件(26、27)以及照明元件(22)，该器件被布置为具有三层的结构：包括集成电路(22’、24)的集成电路层(11)，其中集成电路层(11)集成在衬底的第一面上；包括嵌入式无源元件(26、27)的嵌入式无源元件层(12)，其中嵌入式无源元件(26、27)嵌入在形成于衬底中的沟槽内，并且其中嵌入式无源元件(26、27)通过衬底中的过孔(28)连接至集成电路(22’、24)；以及包括照明元件(22)的接合层(13)，照明元件(22)通过倒装芯片接合或单片集成的方式连接至集成电路层(11)。
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公开(公告)号：CN103430315B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201180061638.0
申请日：2011-12-20
申请人： 香港科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7926 , H01L29/408 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/66833 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/792
摘要： 本发明提供一种具有更高可靠性的功率半导体器件及其制造方法。一方面，所述功率半导体器件是具有对寄生双极晶体管（BJT）开启的增强抑制和正常阈值电压的功率场效应晶体管FET）。所述器件包括：第一导电类型的掺杂源区14）、第二导电类型的掺杂体区（15）、短接掺杂体区（15）与掺杂源区（14）的源极（20）、第一导电类型的掺杂漂移区（10）、覆盖掺杂体区（15）的表面并形成从掺杂源区（14）到掺杂漂移区（10）的沟道的栅介质区（36）的第一层（30）、在第一层30）上的栅介质区（36）的第二层（31）、在第二层31）上的栅介质区（36）的第三层（32）、在第三层32）上的栅极（21）。
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公开(公告)号：CN105789187A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610017973.5
申请日：2016-01-12
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H01L28/60 , H01L29/66181 , H01L29/945 , H01L23/642
摘要： 本发明公开了集成电容器的方法和设备。集成电容器可制造为由沟槽形成的两个电极以获得低电阻。根据一个实施例，电容器可包括：第一沟槽电极、一个或多个电介质层以及第二沟槽电极。可在不同的沟槽中制造第一沟槽电极和第二沟槽电极，以改善集成电容器的电容密度和电阻。
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公开(公告)号：CN102376693B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201110257318.4
申请日：2011-08-23
CPC分类号： H01L28/10 , H01F27/28 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种具有低直流阻抗和小面积的单片磁感应器件。通过示例的方式，磁感应器件可以包括具有形成在衬底(例如，半导体衬底)底层中的沟槽、和形成在衬底中沟槽与衬底上层之间的孔。另外，磁感应器件可以包括嵌入或沉积在沟槽内的导电线圈。磁感应器件还可以包括形成在孔内的一组导电通孔，其将衬底的底层与上层电连接。此外，可以至少部分在导电线圈之上、在上层中形成一个或多个诸如有源器件之类的集成电路元件。适当时可以利用通孔将集成电路元件与导电线圈连接。
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公开(公告)号：CN105264661A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480015874.2
申请日：2014-03-25
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H05B37/0227 , F21V5/004 , F21V9/00 , F21V29/70 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , G08G1/07 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L25/0753 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/16 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H05B33/0854 , H05B37/0218 , H05B37/0272
摘要： 提供了一种照明器件。该照明器件包括衬底、多个集成电路(22’、24)、多个嵌入式无源元件(26、27)以及照明元件(22)，该器件被布置为具有三层的结构：包括集成电路(22’、24)的集成电路层(11)，其中集成电路层(11)集成在衬底的第一面上；包括嵌入式无源元件(26、27)的嵌入式无源元件层(12)，其中嵌入式无源元件(26、27)嵌入在形成于衬底中的沟槽内，并且其中嵌入式无源元件(26、27)通过衬底中的过孔(28)连接至集成电路(22’、24)；以及包括照明元件(22)的接合层(13)，照明元件(22)通过倒装芯片接合或单片集成的方式连接至集成电路层(11)。
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公开(公告)号：CN102738128B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210086236.2
申请日：2012-03-28
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H01L28/10 , H01F17/0033 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。一种电感器还可以包括形成于衬底中并且连接至导电绕组的对应部分的导电通孔。而且，一种变压器可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的对应部分相邻的第一和第二导电绕组围绕的闭环/有间隙的磁芯、以及分别形成于衬底和第一、第二导电绕组之间、以及闭环/有间隙的磁芯和第一、第二导电绕组之间的绝缘层。
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公开(公告)号：CN102376693A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110257318.4
申请日：2011-08-23
CPC分类号： H01L28/10 , H01F27/28 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种具有低直流阻抗和小面积的单片磁感应器件。通过示例的方式，磁感应器件可以包括具有形成在衬底(例如，半导体衬底)底层中的沟槽、和形成在衬底中沟槽与衬底上层之间的孔。另外，磁感应器件可以包括嵌入或沉积在沟槽内的导电线圈。磁感应器件还可以包括形成在孔内的一组导电通孔，其将衬底的底层与上层电连接。此外，可以至少部分在导电线圈之上、在上层中形成一个或多个诸如有源器件之类的集成电路元件。适当时可以利用通孔将集成电路元件与导电线圈连接。
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公开(公告)号：CN212676257U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202021983010.9
申请日：2020-09-11
申请人： 香港科技大学
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/485
摘要： 本实用新型提供一种扇出型封装集成磁感应装置。所述扇出型封装集成磁感应装置包括：衬底；一个或多个半导体芯片，所述一个或多个半导体芯片嵌入在所述衬底中；导电绕组，所述导电绕组嵌入在所述衬底中并且围绕所述一个或多个半导体芯片设置；一个或多个钝化层，所述一个或多个钝化层覆盖在所述导电绕组上，并且所述一个或多个钝化层中具有一个或多个接触孔；以及一个或多个重新布线层，所述一个或多个重新布线层至少布置在所述钝化层的上方，并且，所述一个或多个重新布线层通过所述钝化层中的一个或多个接触孔与所述导电绕组电连接。利用本实用新型的技术方案，可以使得所述磁感应装置能够有效地利用封装空间并且具有非常小的电阻的有益效果。
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