-
公开(公告)号：CN106233623B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201580019787.9
申请日：2015-04-09
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 公开了包括耦合至输入节点且被配置成经由输入节点接收输入信号的频率复用器电路的装置。该频率复用器电路包括第一滤波器电路、第二滤波器电路和第三滤波器电路。该装置还包括切换电路，其可配置成将第一滤波器电路的第一输出、第二滤波器电路的第二输出或第三滤波器电路的第三输出中的至少两者耦合至单个输出端口。
-
公开(公告)号：CN105264771B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201480031670.8
申请日：2014-06-02
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H03H7/46
CPC分类号： H03H7/463 , H03H3/00 , Y10T29/4902
摘要： 公开了用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统。还公开了相关组件和方法。IC具有多个电感器。每个电感器生成具有可辨别轴的磁通量。为了降低这些电感器之间的磁耦合，这些通量轴被设计成非平行的。特别地，通过使得这些电感器的通量轴互相非平行，这些电感器之间的磁耦合相对于诸通量轴平行的情境而言被降低。这种安排可以尤其合适于用在具有低通和高通滤波器的共用器中。
-
公开(公告)号：CN107567656A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201580019339.9
申请日：2015-04-14
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/04 , H01L23/552 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538
摘要： 一些新颖特征涉及一种集成器件封装(例如，管芯封装)，该集成器件封装包括封装基板、管芯、封装层以及第一组金属层。封装基板包括第一表面和第二表面。管芯耦合至封装基板的第一表面。封装层对管芯进行封装。第一组金属层耦合至封装层的第一外表面。在一些实现中，第一组金属层被配置成作为集成器件封装的管芯到线缆连接器来操作。在一些实现中，该集成器件封装包括耦合至封装基板的第二表面的第二组金属层。在一些实现中，该集成器件封装包括耦合至封装层的第二外表面的第二组金属层。
-
公开(公告)号：CN104603882A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045780.5
申请日：2013-09-04
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C11/165 , G11C8/08 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697
摘要： 用于控制磁阻随机存取存储器(MRAM)的字线(WL)处的WL功率电平的系统、电路和方法。所公开的功率控制方案使用与MRAM相关联的现有读/写命令和现有功率生成模块来供应和控制WL功率电平，藉此消除了通过MRAM宏上相对较大且昂贵的功率控制开关和控制电路系统来控制WL功率的方案的成本和增大的管芯大小。
-
公开(公告)号：CN108541341B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201780008884.7
申请日：2017-01-06
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L27/06
摘要： 一种器件包括基板、第一纳米线场效应晶体管(FET)、以及被置于基板和第一纳米线FET之间的第二纳米线FET。该器件还包括电耦合到第一纳米线FET和第二纳米线FET的第一纳米线。
-
公开(公告)号：CN106796393B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580046461.5
申请日：2015-07-15
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/088
摘要： 根据本公开的一方面的一种用于对电路布局进行半节点缩放的方法包括管芯上的垂直器件。该方法包括减小管芯上的垂直器件的鳍节距和栅极节距。该方法还包括缩放用于定义电路布局的至少一个减小面积的几何图案的波长。
-
-
公开(公告)号：CN108430911A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680076411.6
申请日：2016-10-27
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/66 , H01L29/775 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/42392 , B82Y10/00 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/762 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/66439 , H01L29/66484 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7831
摘要： 提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。
-
公开(公告)号：CN106537605A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037459.1
申请日：2015-06-11
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L29/792 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L27/112 , G11C16/26 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/223 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C16/26 , H01L27/11246 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7836 , H01L29/792
摘要： 一种装置包括多次可编程(MTP)存储器器件。该MTP存储器器件包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化结构。该氧化结构包括氧化铪层和二氧化硅层。该氧化铪层与该金属栅极接触，以及与该二氧化硅层接触。该二氧化硅层与该基板材料接触。该MTP器件包括晶体管，并且该MTP存储器器件的非易失性状态是基于该晶体管的阈值电压的。
-
公开(公告)号：CN104781932A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059116.6
申请日：2013-11-14
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H01L25/167 , H01L24/73 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H04B10/803 , H01L2924/00012
摘要： 一些实现提供了一种半导体器件，其包括第一管芯和光接收器。第一管芯包括背面层，该背面层具有足够薄的厚度以允许光信号穿过该背面层。光接收器被配置成接收通过第一管芯的背面层的若干光信号。在一些实现中，每个光信号源自耦合至第二管芯的对应的光发射器。在一些实现中，背面层是管芯基板。在一些实现中，光信号穿过背面层的基板部分。第一管芯进一步包括有效层。光接收器是有效层的一部分。在一些实现中，半导体器件包括第二管芯，该第二管芯包括光发射器。第二管芯耦合至第一管芯的背面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
33 条记录 (耗时 0.028 秒)
