公开(公告)号：CN112779507B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201911094854.X

申请日：2019-11-11

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 盐田有广 ,  青山贵昭 ,  远藤光人 ,  长江亦周

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。

公开(公告)号：CN114402090A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064516.6

申请日：2020-10-09

申请人： 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

发明人： 室谷裕志 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  长谷川友和 ,  松平学幸

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/10

摘要： 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。

公开(公告)号：CN108690963A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710228584.1

申请日：2017-04-10

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  菅原卓哉 ,  青山贵昭

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明公开一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。

公开(公告)号：CN103819213B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201310751752.7

申请日：2013-12-31

申请人： 吉世尔(合肥)能源科技有限公司

发明人： 籍伟杰 ,  谢斌 ,  李明 ,  张磊 ,  姜友松

IPC分类号： C04B37/02

摘要： 本发明提供了一种金属与陶瓷的多层钎焊结构和钎焊方法，其特征在于，该钎焊结构至少具有第一钎焊材料和第二钎焊材料，所述第一钎焊材料选自金属或金属混合材料；所述第二钎焊材料为用于将所述第一钎焊材料与气氛隔绝的密封材料。

公开(公告)号：CN104797826A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060293.6

申请日：2013-03-14

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 税所慎一郎

IPC分类号： F04F9/00

CPC分类号： F23D91/04 ,  F04F5/20 ,  F04F5/40 ,  F04F9/00 ,  F24H2250/08 ,  H05B6/108 ,  F04B37/02 ,  F04B37/06 ,  F04B37/14

摘要： 提供一种油扩散泵，其具有能够解决使用加热线作为工作油加热源时的问题的油蒸气产生器。该油扩散泵为真空泵，在壳体(51)内配置有油蒸气产生器(70)，使该油蒸气产生器(70)工作以使工作油(8)气化而成为油蒸气，将该油蒸气从喷射器(53、53a)喷射出去，并对吸入的气体进行排气动作。油蒸气产生器(70)具有：容器(71、72)，其在立起设置方向上延伸，且使由被加热材料构成的筒部件(71)的下端封闭，用于在内部贮油；感应线圈(75)，其隔着绝缘材料(73)缠绕于筒部件(71)(尤其是外壳内壁71b)的大气侧周围；以及供电单元，其对感应线圈(75)施加数10Hz至数100Hz的低频交流电。而且，构成为，通过使供电单元工作并对线圈(75)施加低频交流电，由此使筒部件(71)自身加热，使容器内的油气化。

公开(公告)号：CN102439195A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC分类号： C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC分类号： G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。

公开(公告)号：CN101861408B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980100991.8

申请日：2009-08-17

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  姜友松 ,  塩野一郎 ,  清水匡之 ,  林达也 ,  古川诚 ,  村田尊则

IPC分类号： C23C14/22

CPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/221 ,  C23C14/225 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/3132

摘要： 本发明提供一种能够制造具有良好的光学特性的光学薄膜的光学薄膜沉积装置，以及制造成本低廉而且具有良好的光学特性的光学薄膜的制造方法。在真空容器(10)内向基体(14)沉积沉积物质的光学薄膜沉积装置具有：圆顶形的基体保持单元(12)，其设置在真空容器(10)内，用于保持基体(14)；旋转单元，其使基体保持单元(12)旋转；沉积单元(34)，其与基体(14)相对设置；离子源(38)，其向基体(14)照射离子；以及中和器(40)，其向基体(14)照射电子。离子源(38)被设置在下述位置，即，所述位置是使从离子源(38)照射离子的轴线、与相对于基体(14)的表面的垂线之间的角度为8°以上40°以下，并使基体保持单元的旋转轴中心和离子源(38)的中心之间的垂直方向的距离、与基体保持单元(12)的直径之比为0.5以上1.2以下的范围。

公开(公告)号：CN102076880A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124622.2

申请日：2009-06-16

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 塩野一郎 ,  姜友松 ,  长江亦周 ,  本多博光 ,  村田尊则

IPC分类号： C23C14/48 ,  G02B5/28

CPC分类号： C23C14/30 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/22 ,  G02B5/285

摘要： 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，真空容器(10)具备与真空容器(10)电气悬浮的内壁(30)，中和器(40)配设在真空容器(10)的内侧侧面侧并离开离子枪(38)。

公开(公告)号：CN1795286A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014269.X

申请日：2004-06-02

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 宋亦周 ,  樱井武

IPC分类号： C23C14/34 ,  G02B1/10

CPC分类号： C23C14/5846 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/568

摘要： 本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序，在控制用于保持基板的基板座(13)的运送速度的同时，在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基板座(13)，调节最终形成的薄膜的膜成分，形成具有产生迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜。

公开(公告)号：CN1788104A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03826575.3

申请日：2003-06-02

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 宋亦周 ,  樱井武 ,  村田尊则

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/352 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5853 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。