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公开(公告)号：CN105246860B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380076844.8
申请日：2013-05-31
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： C04B35/591 , C04B35/584
CPC分类号： C04B35/591 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B38/00 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/00836 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3834 , C04B2235/428 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/9669 , C04B38/0051 , C04B38/0074 , C04B38/0655
摘要： 提供一种耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色的陶瓷烧结体，使用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件。相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构成，在表层，若散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述化合物，每1mm2存在2.0×104个以上且2.0×105个以下，则耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色。
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公开(公告)号：CN106747455A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611182577.4
申请日：2016-12-20
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/65
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/65 , C04B2235/3834 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , C04B2235/963 , C04B2235/9646
摘要： 本发明公开了一种SiC基复相陶瓷及其制备方法。该SiC基复相陶瓷包括Si和SiC，其中，SiC为连续基体相，Si为游离相，游离相分布于SiC基复相陶瓷表面的连续基体相中。该制备方法包括以下步骤：（1）将混合固相、有机单体、交联剂和水混合后球磨，得到预混合浆料，所述混合固相由炭黑和α‑SiC陶瓷粉组成；再将所述预混合浆料进行真空除气后与偶氮化合物混合，得到混合浆料；（2）凝胶注模成型；（3）气相渗硅烧结。该SiC基复相陶瓷具有致密度高、热导率高、热膨胀系数低、可抛光性能优异等优点；该制备方法周期短、烧结温度低，无烧结收缩、成品性能可控、可适应复杂形状的SiC基陶瓷元件的净尺寸成型。
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公开(公告)号：CN101503295A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810187101.9
申请日：2008-12-12
申请人： 我得实工业贸易有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , H01J37/32 , H01L21/00 , H05H1/24
CPC分类号： C04B35/573 , C04B2235/383 , C04B2235/3834 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/661
摘要： 本发明提供一种α型SiC－β型SiC结合型反应烧结SiC材料和其制备方法及使用该材料的二体型等离子室阴极，特别是用于半导体工程元件的α型SiC－β型SiC结合型反应烧结β型SiC材料和其制备方法，包括：通过常压或加压烧结得到α型SiC粉末，将碳粉末与所述α型SiC粉末混合得到碳－α型SiC混合体，加热所述碳－α型SiC混合体使其成形后，在真空高温环境下，与已调节好电阻的熔融硅反应，从而得到电阻符合于电学特性的β型SiC材料。本发明还提供了一种硅－SiC结构的、呈平坦或一定角度的外廓漏斗状且具有落差的二体型等离子室阴极。
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公开(公告)号：CN1030566A
公开(公告)日：1989-01-25
申请号：CN88104423
申请日：1988-07-15
申请人： 斯坦科尔公司
发明人： 弗朗西斯·J·弗雷谢特 , 沃尔夫纲·D·G·博卡 , 卡尔·休斯·麦克默特里 , 马丁·理查德·卡斯普里赛克
CPC分类号： C04B35/63476 , C04B35/117 , C04B35/62272 , C04B35/62277 , C04B35/62281 , C04B35/62286 , C04B35/62635 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63408 , C04B35/6342 , C04B35/63488 , C04B35/645 , C04B35/803 , C04B35/806 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3813 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/383 , C04B2235/3834 , C04B2235/3865 , C04B2235/524 , C04B2235/5244 , C04B2235/526 , C04B2235/5264 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6021 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , Y10S264/19
摘要： 一种直径选择在1至200微米之间的高温多晶陶瓷纤维，它在温度1700℃以上在一种惰性气氛中是稳定的，在温度1500℃以上甚至在空气中通常也是稳定的。该纤维包括最大粒径小于纤维直径，并且平均粒径小于纤维直径0.2倍的一种烧结陶瓷粉末。至少90％的陶瓷材料是选自硼化物，碳化物，氮化物和硅化物。纤维的圆度大于1.15，并具有平滑的表面。
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公开(公告)号：CN103140455B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180047346.1
申请日：2011-09-29
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： C04B35/565 , B01J35/04 , C04B38/00
CPC分类号： C04B38/0006 , B01J27/224 , B01J32/00 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6263 , C04B35/6316 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3826 , C04B2235/383 , C04B2235/3834 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/606 , C04B2235/722 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F01N3/2026 , F01N3/2828 , Y02T10/26 , Y10T428/24149 , Y10T428/268 , Y10T428/2982 , C04B38/0074
摘要： 一种碳化硅质陶瓷，含有碳化硅晶体，碳化硅晶体中含有0.1～25质量%的4H型碳化硅晶体以及50～99.9质量%的6H型碳化硅晶体，优选氮的含量在0.01质量%以下，更优选含有含碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令碳化硅粒子互相结合的硅，硅的含有率为10～40质量%。提供温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷。
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公开(公告)号：CN105246860A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201380076844.8
申请日：2013-05-31
申请人： 京瓷株式会社
IPC分类号： C04B35/591 , C04B35/584
CPC分类号： C04B35/591 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B38/00 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/00836 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3834 , C04B2235/428 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/9669 , C04B38/0051 , C04B38/0074 , C04B38/0655
摘要： 提供一种耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色的陶瓷烧结体，使用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件。相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构成，在表层，若散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述化合物，每1mm2存在2.0×104个以上且2.0×105个以下，则耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色。
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公开(公告)号：CN104755421A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380054592.9
申请日：2013-07-10
申请人： LG伊诺特有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C04B35/565 , C04B2235/383 , C04B2235/3834 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/72 , Y10T428/2982
摘要： 根据本发明的一个实施方案，用于制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：将晶种加入β碳化硅粉末中；并且通过热处理该β碳化硅粉末来形成α碳化硅粉末。
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公开(公告)号：CN102123967B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980132095.X
申请日：2009-08-12
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C04B35/573 , C04B38/00
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/63488 , C04B38/0022 , C04B2111/0081 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/3873 , C04B2235/441 , C04B2235/48 , C04B2235/80 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10T428/24496 , C04B35/565 , C04B38/0054
摘要： 本发明涉及制备有序中孔碳化硅(OMSiC)纳米复合物的方法，所述的方法使用前体组合物的蒸发引起的自装配，所述的前体组合物优选地包含酚醛树脂、预水解的原硅酸四乙酯、表面活性剂和丁醇。使前体混合物干燥、交联和加热形成具有有序的中等规模的孔的不连续区域的有序的中孔碳化硅材料。
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公开(公告)号：CN102099289B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980128538.8
申请日：2009-05-18
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所 , 英国石油有限公司
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/5603 , C04B35/6265 , C04B35/62807 , C04B2235/383 , C04B2235/3834 , C04B2235/5445 , C04B2235/658
摘要： 制造多孔碳化硅的方法，包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合，并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物，其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。
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公开(公告)号：CN102123967A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132095.X
申请日：2009-08-12
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C04B35/573 , C04B38/00
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/63488 , C04B38/0022 , C04B2111/0081 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/3873 , C04B2235/441 , C04B2235/48 , C04B2235/80 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10T428/24496 , C04B35/565 , C04B38/0054
摘要： 本发明涉及制备有序中孔碳化硅(OMSiC)纳米复合物的方法，所述的方法使用前体组合物的蒸发引起的自装配，所述的前体组合物优选地包含酚醛树脂、预水解的原硅酸四乙酯、表面活性剂和丁醇。使前体混合物干燥、交联和加热形成具有有序的中等规模的孔的不连续区域的有序的中孔碳化硅材料。
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