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公开(公告)号：CN105161393B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510512550.6
申请日：2004-09-07
申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 , 应用材料以色列公司
CPC分类号： H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
摘要： 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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公开(公告)号：CN103688333B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280019242.4
申请日：2012-02-17
申请人： 应用材料以色列公司 , 卡尔蔡司SMT有限公司
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/06 , H01J37/09 , H01J37/153 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/2817
摘要： 带电粒子束聚焦设备（200）包括带电粒子束发生器（202），所述带电粒子束发生器（202）被配置以同时将至少一个非像散带电粒子束和至少一个像散带电粒子束投射到样品表面的位置（217）上，从而使得释放电子从所述位置发射出。所述设备还包括成像检测器（31），所述成像检测器（31）被配置以从所述位置接收释放电子且根据释放电子形成所述位置的图像。处理器（32）分析由至少一个像散带电粒子束产生的图像，且响应于所述图像以调整至少一个非像散带电粒子束的焦点。
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公开(公告)号：CN102468104B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110354511.X
申请日：2011-11-10
申请人： FEI公司
发明人： A.亨斯特拉
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/0453 , H01J2237/053 , H01J2237/057 , H01J2237/31713
摘要： 本发明公开了带有集成静电能量过滤器的带电粒子源。本发明涉及带有集成能量过滤器的带电粒子过滤器。其中所用的大部分过滤器具有高度弯曲的光轴，且因此使用具有难以制造的形式的部件，根据本发明的该源使用在直光轴周围的电极。令人吃惊的是，本发明者发现，倘若电极（114,116,120,122）中的一些形成为120°/60°/120°/60°，很可能使带电粒子束106a偏转离轴线104相当远，示出在能量选择狭缝108处显著的能量扩散，而不引入不能矫正的彗差或像散。这些电极能通过胶合或钎焊陶瓷而附连到彼此，且然后可例如通过火花腐蚀而形成高度同心的孔。
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公开(公告)号：CN103688333A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280019242.4
申请日：2012-02-17
申请人： 应用材料以色列公司 , 卡尔蔡司SMT有限公司
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/06 , H01J37/09 , H01J37/153 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/2817
摘要： 带电粒子束聚焦设备（200）包括带电粒子束发生器（202），所述带电粒子束发生器（202）被配置以同时将至少一个非像散带电粒子束和至少一个像散带电粒子束投射到样品表面的位置（217）上，从而使得释放电子从所述位置发射出。所述设备还包括成像检测器（31），所述成像检测器（31）被配置以从所述位置接收释放电子且根据释放电子形成所述位置的图像。处理器（32）分析由至少一个像散带电粒子束产生的图像，且响应于所述图像以调整至少一个非像散带电粒子束的焦点。
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公开(公告)号：CN102709143A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210111707.0
申请日：2004-09-07
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , 以色列实用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/317 , B82Y10/00
CPC分类号： H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
摘要： 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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公开(公告)号：CN107431037A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580078094.7
申请日：2015-09-18
申请人： 英特尔公司
发明人： Y·A·波罗多维斯基
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544 , H01J37/317 , G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： H01J37/3045 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0453 , H01J2237/24475 , H01J2237/24578 , H01J2237/2817 , H01L21/0277 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L21/682 , G03F7/2059 , G03F9/7003
摘要： 描述了适用于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，电子束工具的精密对准的方法包括：在沿着Y移动晶圆时，在晶圆的X方向对准特征上投射电子束列的多个孔径的电子图像。该方法还包括：在投射期间检测时间分辨的背散射电子(BSE)检测响应波形。该方法还包括：通过计算BSE检测响应波形的导数来确定X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置。该方法还包括：在确定X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置之后，调整电子束列与晶圆的对准。
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公开(公告)号：CN107039226A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710020518.5
申请日：2017-01-12
申请人： 株式会社爱德万测试
IPC分类号： H01J37/06 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/22 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/065 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/06308 , H01J2237/0835 , H01J2237/31754 , H01J37/226 , G03F7/70808 , H01J37/06 , H01J37/12 , H01J37/1478 , H01J2237/063 , H01J2237/12
摘要： 本发明提供一种曝光装置。一种曝光装置(100)，其具有形成试样上的照射位置不同的多个带电粒子束的形成部(122)，形成部(122)具有：粒子源(20)，其从在长边方向和与该长边方向垂直的短边方向上具有不同宽度的放射区域(21)放射带电粒子束；孔径阵列元件(60)，其在长边方向和与该长边方向垂直的短边方向上具有不同宽度的被照明区域(61)上配置有多个开口(62)；照明透镜(30、50)，其设置于粒子源(20)与孔径阵列元件(60)之间；以及束截面变形元件(40)，其设置于粒子源(20)与孔径阵列元件(60)之间，通过磁场或电场的作用使带电粒子束的截面形状变形成各向异性的形状。
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公开(公告)号：CN103094031B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210438995.0
申请日：2012-11-06
申请人： FEI 公司
CPC分类号： G21K1/00 , H01J37/09 , H01J2237/045 , H01J2237/0453
摘要： 实现一种改进的限束孔阑结构及制作的方法。在位于支撑衬底中的空腔上方的薄的导电膜中制作孔阑开口，其中孔阑的尺寸和形状由导电膜中的开口确定，而不是由衬底确定。
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公开(公告)号：CN102651299B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210055385.2
申请日：2012-02-24
申请人： FEI公司
发明人： T·米勒
CPC分类号： H01J37/3053 , H01J37/1472 , H01J37/3005 , H01J37/3056 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/08 , H01J2237/30472 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： 公开一种用于在带电粒子系统中具有不同射束电流的操作模式之间进行快速切换的方法。许多FIB研磨应用要求感兴趣区域(RoI)中的研磨图案的准确定位。这可通过使用RoI附近的基准标记来实现，其中周期地偏转FIB，以便在FIB研磨期间对这些标记进行成像。然后能够测量和补偿射束相对于RoI的任何漂移，从而实现FIB研磨射束的更准确定位。往往有利的是使用较低电流FIB用于成像，因为这可实现标记的图像中的更高空间分辨率。为了更快的FIB研磨，期望更大的射束电流。因此，对于FIB研磨过程的优化，一种用于在高与低电流操作模式之间进行快速切换的方法是合乎需要的。
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公开(公告)号：CN102709143B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210111707.0
申请日：2004-09-07
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , 应用材料以色列公司
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/317 , B82Y10/00
CPC分类号： H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
摘要： 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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