公开(公告)号：CN105420685B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

摘要： 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。

公开(公告)号：CN108028196A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680043730.7

申请日：2016-08-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川秀平 ,  朴玩哉 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H05H1/46

摘要： 一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用改性气体的等离子体对被处理体的抗蚀剂膜进行改性。

公开(公告)号：CN107479330A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201610405199.5

申请日：2016-06-08

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 柳鹏 ,  赵伟 ,  林晓阳 ,  周段亮 ,  张春海 ,  姜开利 ,  范守善

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  H01J37/00

摘要： 本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。

公开(公告)号：CN107240563A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710096228.9

申请日：2017-02-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67098 ,  H01L2221/67

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种能够提高所形成的膜的膜质的技术。具有：处理室，对衬底进行处理；气体供给部，设置于处理室内，供给对衬底进行处理的处理气体；等离子体产生部，设置于处理室内，使处理气体活化；和缓冲部，形成用于收纳等离子体产生部的至少一部分的缓冲室，且具有对衬底供给活化后的处理气体的气体供给孔，缓冲部具有将气体供给孔的一部分切去而形成的槽部。

公开(公告)号：CN106206287A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365868.0

申请日：2016-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 泽田石真之 ,  三轮智典 ,  金子雄基

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/00 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN106206287B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610365868.0

申请日：2016-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 泽田石真之 ,  三轮智典 ,  金子雄基

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/00 ,  H01J2237/334

摘要： 本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN108878285A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810448503.3

申请日：2018-05-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 熊仓翔 ,  田端雅弘

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

摘要： 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。

公开(公告)号：CN106029215B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480067106.1

申请日：2014-11-12

申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： F-H.勒格纳 ,  A.魏道尔 ,  G.马托施 ,  J.库布施

IPC分类号： B01J8/12 ,  B01J19/08 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06

CPC分类号： A01C1/08 ,  A61L2/087 ,  A61L2/26 ,  A61L2202/11 ,  B01J8/12 ,  B01J19/085 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/0833 ,  B01J2219/0879 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/15

摘要： 本发明涉及一种装置，包含至少一个用于生成加速的电子的电子束产生器(301)，利用这些加速的电子能够使散装货物粒子(303)在自由落体期间被加载，其中，所述电子束产生器(301)环形地构造，在该电子束产生器中由环形的阴极放出的且加速的电子从电子排出窗中在环轴线的方向上排出；其中，所述环形的电子束产生器(301)布置成使得其环轴线竖直地或者以与竖直线偏差直至45°的角度取向；且其中，在所述环形的电子束产生器上方布置有用于分开散装货物粒子的机构，该机构的底部壁(304)具有至少一个开口，散装货物粒子(303)从所述至少一个开口中且从那里通过由所述电子束产生器(301)形成的环下落。

公开(公告)号：CN106233422A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480078355.0

申请日：2014-06-26

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司

发明人： 洪俊华 ,  沈培俊

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01J37/00

CPC分类号： H01J37/00 ,  H01L21/00

摘要： 一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一侧的至少一个第二离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直，该承载框架用于承载晶片经过每个第一离子注入装置和每个第二离子注入装置的离子束的作用区域。所述离子注入设备通过在同一真空制程腔中在晶片的两侧设置离子注入装置来实现对晶片两个表面的离子注入，提高了加工效率，且无需设置额外的支撑装置，精简了结构。

公开(公告)号：CN105420685A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

摘要： 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。