公开(公告)号：CN107275280A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710123767.7

申请日：2017-03-03

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚 ,  芦原洋司 ,  大桥直史 ,  菊池俊之

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。提供一种针对形成有空气隙的半导体器件能够实现良好的特性的技术。将衬底搬入处理室的工序，衬底具有第一布线层，包括第一层间绝缘膜、形成在第一层间绝缘膜之上用作布线的多个含铜膜、使含铜膜间绝缘的布线间绝缘膜以及设于多个含铜膜之间的空隙，和第一防扩散膜，第一防扩散膜构成为形成在含铜膜上表面的一部分的表面上，抑制含铜膜的成分的扩散；和形成含硅膜，向处理室内供给含硅气体，从而在含铜膜之上的没有形成第一防扩散膜的其他部分的表面之上和构成空隙的壁上形成含硅膜。

公开(公告)号：CN107393800A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710368871.2

申请日：2017-05-23

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32137 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274

摘要： 提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制等离子体带来的影响。具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；气体供给部，其经由缓冲室向衬底供给气体；电极，其设于缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其设于电极的下游，具有与气体流路相邻的第1孔；分散部，其设于绝缘部的下游，具有多个第2孔，该第2孔与第1孔相邻并且与气体流路连通，并具有等离子体生成区域；电力供给部，其与电极连接；以及控制部，其控制气体供给部和电力供给部，以对绝缘部的下游侧、且等离子体生成区域供给电力，并在等离子体生成区域生成气体的等离子体。

公开(公告)号：CN107293477A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610495773.0

申请日：2016-06-29

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚 ,  菊池俊之

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置。在衬底面内形成均匀的膜。具有将衬底向处理室搬送的工序、成膜工序和调整工序，其中成膜工序具有：将第1气体向上述衬底供给的工序；和将第2气体以第1高频等离子化之后向衬底供给的工序，调整工序具有：在成膜工序后计测衬底的带电情况、并基于计测出的带电情况来设定第2高频的工序；和将第3气体以第2高频等离子化之后向衬底供给来调整衬底的带电情况的工序。

公开(公告)号：CN108807142A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810386517.7

申请日：2018-04-26

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚 ,  大桥直史 ,  菊池俊之

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76885 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供能够实现良好特性的器件的技术。半导体器件的制造方法具有下述工序：将形成布线层的衬底搬入处理室的工序；和形成层叠蚀刻阻挡膜的工序，其中，向衬底供给含第一元素的气体和含第二元素的气体，形成包含第一元素和第二元素的第一蚀刻阻挡膜，在第一蚀刻阻挡膜之上，供给含第一元素的气体、含第二元素的气体和含第三元素的气体从而形成包含第一元素、第二元素和第三元素的第二蚀刻阻挡膜，由此形成层叠蚀刻阻挡膜。

公开(公告)号：CN108257842A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711437688.X

申请日：2017-12-26

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及衬底处理装置，半导体器件的制造方法及记录介质。本发明要解决的课题为提供能够均匀地处理衬底的技术。本发明的解决手段为具有：处理衬底的处理室；向所述处理室内供给气体的气体供给部；等离子体生成部，其具有连接于高频电源的电极，通过使被供给至所述处理室内的气体等离子体化从而使其活化；阻抗测定器，测定所述等离子体生成部的阻抗；判断部，根据由所述阻抗测定器测定的阻抗的值来判断等离子体的活性种生成量；和控制部，根据由所述判断部判断的活性种生成量来控制所述高频电源。

公开(公告)号：CN107863306A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710459088.7

申请日：2017-06-16

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 油谷幸则 ,  桧山真 ,  竹田刚 ,  大桥直史

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/54

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67098 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，存在半导体器件的生产率低的问题。提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器，向处理容器供给气体的气体供给部，控制衬底的温度的温度控制部，和装置控制部，其以进行下述处理的方式进行控制：温度控制部将衬底维持在第一温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成第一层的处理；及，温度控制部将衬底维持在不同于第一温度的第二温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成不同于第一层的第二层的处理。通过本发明，即便在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，也能提高半导体器件的生产率。

公开(公告)号：CN107240563A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710096228.9

申请日：2017-02-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67098 ,  H01L2221/67

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种能够提高所形成的膜的膜质的技术。具有：处理室，对衬底进行处理；气体供给部，设置于处理室内，供给对衬底进行处理的处理气体；等离子体产生部，设置于处理室内，使处理气体活化；和缓冲部，形成用于收纳等离子体产生部的至少一部分的缓冲室，且具有对衬底供给活化后的处理气体的气体供给孔，缓冲部具有将气体供给孔的一部分切去而形成的槽部。

公开(公告)号：CN107293514A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610615796.0

申请日：2016-07-28

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 芦原洋司 ,  大桥直史 ,  竹田刚 ,  菊池俊之

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法和衬底处理装置。是可在形成有空气间隙的半导体装置中实现良好的特性的技术。为了解决上述问题，本发明提供的技术包括：将衬底搬入到处理室中的工序，所述衬底具有第一布线层和第一防扩散膜，所述第一布线层具有第一层间绝缘膜、形成在所述第一层间绝缘膜之上作为布线使用的多个含铜膜、使所述含铜膜间绝缘的布线间绝缘膜以及设于所述多个含铜膜之间的空隙，所述第一防扩散膜形成在所述含铜膜上表面的一部分表面之上并构成为抑制所述含铜膜的成分扩散；和形成第二防扩散膜的工序，所述第二防扩散膜形成在所述含铜膜上的没有形成所述第一防扩散膜的其他部分的表面之上，构成为抑制所述含铜膜的成分扩散。

公开(公告)号：CN107610995A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610842305.6

申请日：2016-09-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提高每个衬底的处理后的膜特性的均匀性的半导体器件的制造方法及衬底处理装置。包括：将衬底搬入处理室的工序；和向衬底供给处理气体的工序；和将向衬底供给的气体排气的工序；处理工序，将活化后的处理气体向衬底供给，并包括第一测定工序和第二测定工序，第一测定工序为测定从衬底脱离的杂质的工序，第二测定工序为测定在活化工序后从处理室排气的气体的工序；和算出处理数据的工序，其中，重复第一测定工序和第二测定工序、并基于在第一测定工序生成的第一测定数据和在第二测定工序生成的第二测定数据来算出处理数据；和结束判定工序，基于处理数据，进行处理工序的结束判定。

公开(公告)号：CN107204273A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710063648.7

申请日：2017-02-03

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 竹田刚

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/317 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01J37/3244 ,  C23C16/44 ,  H01J37/3178

摘要： 本发明提供一种能够实现均匀的衬底处理的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。在衬底处理装置中，具有：反应管，其在内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在反应管的外部，对处理室进行加热；气体供给部，其设在反应管内，供给对衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，等离子体生成部至少根据高频电源的频率和对电极施加的电压来确定相邻的第一电极部与第二电极部的电极间距离。