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公开(公告)号:CN100474587C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200510108368.0
申请日:2005-10-13
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 岸下景介
IPC分类号: H01L27/04
CPC分类号: H01L21/76838 , H01L23/5286 , H01L27/118 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 由第一电源布线、第二电源布线和用于网状电源布线的触点组成的网状电源布线,通过用于带状电源布线的触点,与在比形成网状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的带状电源布线相连接。在比形成带状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的单元电源布线,通过用于单元电源布线的触点,与带状电源布线相连接。
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公开(公告)号:CN101388396A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810169775.6
申请日:2002-11-18
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: H01L27/115 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26
CPC分类号: H01L29/66833 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/118 , H01L27/1203 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体存储器件,它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极,以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元,本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。
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公开(公告)号:CN100470759C
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200580001832.4
申请日:2005-03-10
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号: H01L27/118
摘要: 一种可编程逻辑设备包括功耗和面积可以减少的可编程元件。可编程逻辑设备(101)包括:第一逻辑元件(102);和第二逻辑元件(104),其具有与所述第一逻辑元件(102)相同的逻辑,但是其操作速度的设计上限低于第一逻辑元件(102)的操作速度的设计上限。
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公开(公告)号:CN1906754A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200580001832.4
申请日:2005-03-10
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号: H01L27/118
摘要: 一种可编程逻辑设备包括功耗和面积可以减少的可编程元件。可编程逻辑设备(101)包括:第一逻辑元件(102);和第二逻辑元件(104),其具有与所述第一逻辑元件(102)相同的逻辑,但是其操作速度的设计上限低于第一逻辑元件(102)的操作速度的设计上限。
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公开(公告)号:CN1866520A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610058459.2
申请日:2006-03-24
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC分类号: H01L27/118 , G03F1/36 , H01L27/0207 , H01L27/115
摘要: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法、半导体装置结构,所述半导体装置包括具有功能图案的多个层,该半导体装置是至少部分由该功能图案构成。该多个层中至少一层进一步包含非功能图案,其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻,以形成该至少一层的一组合图案,使得该组合图案的特征密度更平均。本发明所述半导体装置及其制造方法、半导体装置结构,其非功能图案可平衡功能装置,提供各装置层一个相对来说更一致的元件配置,且进一步增进了特征尺寸的一致性。而且,由于特征可靠性和一致性的改善,也可以使得蚀刻偏差得以减少,进而可以增进装置的整体良率。
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公开(公告)号:CN1589500A
公开(公告)日:2005-03-02
申请号:CN02823154.6
申请日:2002-11-18
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L29/66833 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/118 , H01L27/1203 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体存储器件,它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极,以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元,本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。
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公开(公告)号:CN1551332A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN200310124816.7
申请日:2003-10-15
申请人: 阿尔特拉公司
发明人: 阿绍克·K·卡普
IPC分类号: H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号: H03K19/173 , H01L27/118
摘要: 一种可编程逻辑装置(PLD)中包括可编程电子电路。该在硅基片中制造的可编程电子电路可以包括各种可配置或可编程的逻辑电路。该PLD也包括一个与该可编程电子电路相耦合的存储器电路。该存储器电路是用硅锗制造的。
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公开(公告)号:CN1231513A
公开(公告)日:1999-10-13
申请号:CN99104839.3
申请日:1999-04-07
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 石仓聪
CPC分类号: H01L27/118 , G06F17/5072 , G06F17/5077 , H01L24/02 , H01L27/0255 , H01L27/11807 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/30105
摘要: 每个包括缓冲器或反相器或与缓冲器或反相器的输入管脚连接的用于防止天线损坏或天线规则失效发生的n+扩散层-P阱型保护二极管的中继器单元预先用登记装置511登记,作为要在单元库505中要登记的单元。用确定装置514确定引到栅极的布线导体是否是超过半导体器件中的容许天线比的天线比,如果布线导体超过可容许的天线比,用选择装置515把一个或多个中继器单元插入布线导体的任意点。
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公开(公告)号:CN1187691A
公开(公告)日:1998-07-15
申请号:CN98104205.8
申请日:1998-01-08
申请人: 株式会社东芝
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/52
CPC分类号: H01L23/528 , H01L27/118 , H01L2924/0002 , Y10S257/903 , H01L2924/00
摘要: 把本来所需金属布线层的层数不同的多个宏单元混合配置到同一LSI芯片上,抑制布线电阻的增大,从而抑制电压降和布线延迟的增大。在LSI衬底上形成的N(N≥3)层以上布线层的多种宏单元之内的至少一个宏单元,具备由第(N-2)布线层形成的布线图形,有第(N-1)布线层的第(N-1)层布线图形和第(N-1)层布线接触图形,与第(N-1)层布线图形相同的第N层布线图形和与第(N-1)层布线接触图形相同的第N层布线接触图形。
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公开(公告)号:CN108885648A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780010411.0
申请日:2017-02-09
申请人: 托马生物科学公司
发明人: F·M·德拉维加
IPC分类号: G06F19/22 , C40B60/10 , H01L27/118 , H01L21/768
CPC分类号: H01L27/118 , G06F19/18 , G06F19/22 , H01L21/768 , H01L28/00
摘要: 本发明提供了用于对来自个体的样本的测序数据进行计算分析的系统、软件介质、网络、试剂盒和方法。分析可以提取种系和体细胞信息并比较两种类型的信息,以基于概率建模和统计推断来识别序列变体。分析可以包括区分种系变体(例如,私有变体(private variant))和体细胞突变。识别的变体可供临床使用以提供更好的医疗保健。
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