半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100474587C

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200510108368.0

    申请日:2005-10-13

    发明人: 岸下景介

    IPC分类号: H01L27/04

    摘要: 由第一电源布线、第二电源布线和用于网状电源布线的触点组成的网状电源布线,通过用于带状电源布线的触点,与在比形成网状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的带状电源布线相连接。在比形成带状电源布线的布线层更接近衬底的布线层上形成的单元电源布线,通过用于单元电源布线的触点,与带状电源布线相连接。

    半导体装置及其制造方法、半导体装置结构

    公开(公告)号:CN1866520A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610058459.2

    申请日:2006-03-24

    摘要: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法、半导体装置结构,所述半导体装置包括具有功能图案的多个层,该半导体装置是至少部分由该功能图案构成。该多个层中至少一层进一步包含非功能图案,其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻,以形成该至少一层的一组合图案,使得该组合图案的特征密度更平均。本发明所述半导体装置及其制造方法、半导体装置结构,其非功能图案可平衡功能装置,提供各装置层一个相对来说更一致的元件配置,且进一步增进了特征尺寸的一致性。而且,由于特征可靠性和一致性的改善,也可以使得蚀刻偏差得以减少,进而可以增进装置的整体良率。