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公开(公告)号：CN118639322A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410885794.8
申请日：2024-07-03
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石横向生长辅助装置，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密封连接有一安装环，安装环与基台可拆卸连接；安装环与基台连接时，所述柔性薄膜、安装环、基台将基台腔分隔成上下两部分；三轴驱动机构，用于驱动所述基台运动；以实现基台相对/背离安装环运动和基台与等离子体球的横向运动。本发明在金刚石生长过程中，使得衬底材料可相对等离子体球横向运动，形成金刚石材料沿横向生长的效果。
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公开(公告)号：CN118086865A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227609.6
申请日：2024-02-29
申请人： 湖南大学
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/44 , C30B29/46 , C30B25/08 , H01L31/032 , H01L31/112 , H01L31/101 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明属于二维半导体材料制备领域，具体涉及原子级薄的Cu2Te二维材料的制备方法，采用内外嵌套的沉积管进行CVD沉积，其中，所述的沉积管外管和内管；所述的内管靠进气口端开口，另一端封口；CVD沉积过程中，预先将铜源和基底设置在内管的开口侧，碲源设置在内管的封口侧，对内管控温，使内管开口侧的铜源、基底处的温度T1控制在460～510℃，封口侧碲源处的温度T2控制在530～570℃，使铜源和碲源在内管内挥发并在基底上CVD沉积，制得所述的原子级薄的Cu2Te二维材料。本发明还包括所述的制备方法制得的材料及其在光电器件中的应用。本发明所述的工艺，能够成功制备原子级薄的Cu2Te二维材料及其相关的异质结，且制备的材料具有优异的光电性能。
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公开(公告)号：CN117822107B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
申请人： 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
摘要： 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
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公开(公告)号：CN114808118B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210466528.2
申请日：2022-04-29
申请人： 杭州富加镓业科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备，所述分子束外延设备包括MEB生长室、设置在所述MEB生长室内的不锈钢托盘，以及设置在所述不锈钢托盘底端的导电型氧化镓衬底，其特征在于，所述导电型氧化镓衬底的下方对应设置有激光器，所述激光器发出的激光波长为1800‑2200nm，且所述激光器发出的激光光斑覆盖对应导电型氧化镓衬底的整个底部。本发明通过所述激光器以激光加热的方法直接加热MEB生长室内的导电型氧化镓衬底，使导电型氧化镓衬底均匀受热，制备出高质量、厚度均匀的非故意掺杂氧化镓同质外延片。
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公开(公告)号：CN117822103A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311821097.8
申请日：2023-12-27
申请人： 山东大学
摘要： 本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE‑GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔；HCl进气口与HCl气体分配腔连通，GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通；GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通，GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。通过提高镓舟内HCl气体的利用效率，降低反应腔中额外的HCl气体，提高生长的GaN晶体质量，延长设备使用寿命，保障工作人员身体健康和环境质量。
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公开(公告)号：CN117779183A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311519665.9
申请日：2023-11-15
申请人： 北京镓和半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种气体流量控制的超声辅助雾相输运化学气相设备和方法，包括超声雾化装置、镓源收容装置和反应腔室，所述反应腔室内有气体流量控制装置，所述气体流量控制装置包括提供准负压的气泵、控制气流流量的气流时控系统和数据采集系统，所述镓源收容装置雾化装置设置有洁净空气流入口，所述气泵外有废气吸收收容装置，各区域间由气流导管连接，所述气流时控系统通过控制气泵吸气间隔和吸气时间调节气体的流量。本发明实现氧化镓薄膜生长环境中气体流量的精确控制，提高生长速率和前驱物的利用率，氧化镓薄膜均匀度更好，纯度更高。所生长的氧化镓薄膜为制备过高质量的射频器件、功率器件与存储器件和相应电路的设计与性能优化提供支持。
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公开(公告)号：CN114420527B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210070925.8
申请日：2022-01-21
申请人： 深圳市纳设智能装备股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种吸盘机构及装设装置，涉及化学气相沉积设备领域，吸盘机构包括载盘吸附管、载盘吸附件、晶圆吸附管、晶圆吸附件及支撑件，载盘吸附管可转动地设于支撑件上，载盘吸附件设于载盘吸附管的一端，且与载盘吸附管连通，载盘吸附件用于吸附载盘，晶圆吸附管穿设于载盘吸附管中，晶圆吸附件设于晶圆吸附管靠近载盘吸附件的一端，且与晶圆吸附管连通，晶圆吸附件用于吸附晶圆，晶圆吸附管能够在载盘吸附管中移动，以使吸附于晶圆吸附件上的晶圆移动至吸附于载盘吸附件上的载盘上。本发明提供的吸盘机构操作简易，可实现自动化取放晶圆，提高了效率，且避免了人工操作的污染，从而提高了产能及产品的良率。
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公开(公告)号：CN117005025B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311123857.8
申请日：2023-09-01
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
发明人： 李书田
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B30/04 , C23C16/458
摘要： 本说明书实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，该装置包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构；加热器安装于主石墨回转体、基片承载体与石墨基座之间；处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。
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公开(公告)号：CN117413097A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039011.3
申请日：2022-06-07
申请人： 洛佩诗公司
发明人： 斯瑞尼瓦斯·亚拉加达 , 西尔维奥·佩雷蒂 , 弗朗西斯科·科里亚 , 斯特凡诺·波利
IPC分类号： C30B25/08
摘要： 反应室(100)包括覆盖系统(90)，该覆盖系统位于反应室的腔(101)内，并且包括搁置在腔的下壁上的至少一个下覆盖元件(120)以及搁置在下覆盖元件(120)上的上覆盖元件(130)；下覆盖元件(120)和上覆盖元件(130)界定隔离的内部空间以容纳至少一个基底，并且形成围绕该内部空间的四个壁并且与腔壁间隔开；室(100)的壁通常由石英制成，并且覆盖系统(90)通常由石英制成。
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公开(公告)号：CN117403322A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310840378.1
申请日：2023-07-10
申请人： ASM , IP私人控股有限公司
发明人： R·卡扎卡
摘要： 提供了一种用于在多个衬底上形成外延叠层的方法。在优选实施例中，该方法包括向处理室提供多个衬底并执行多个沉积循环，其中每个沉积循环包括第一沉积脉冲和第二沉积脉冲。外延叠层包括与第二外延层交替和重复堆叠的第一外延层，第二外延层不同于第一外延层。第一沉积脉冲包括向处理室提供第一反应气体混合物，从而形成具有第一晶格参数的第一外延层。第二沉积脉冲包括向处理室提供第二反应气体混合物，第二反应气体混合物不同于第一反应气体混合物，从而形成具有第二晶格参数的第二外延层，第一和第二晶格参数是原生晶格参数，并且其中第一原生晶格参数位于比第二原生晶格参数大1.5％且小0.9％的范围内。
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